Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Title: Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография
Authors: Вабищевич, С. А.
Issue Date: 2003
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вабищевич, С. А. Термическое дефектообразование в Si:P3Э // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 2. – С. 45–71.
Abstract: Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений.
Keywords: Термическое дефектообразование в Si:P3Э
Генерация термодоноров в Si:P3Э
Взаимодействие лантаноидов с кислородом при термообработке монокристаллов
Формирование высокотемпературных термодоноров в Si:P3Э
Термическое дефектообразование в кремнии, легированном одновременно германием и гадолинием
Закалочные термодефекты в кремнии, легированном редкоземельными элементами
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Appears in Collections:Разделы и главы из монографий



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.