Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/2166
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.-
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.-
dc.date.accessioned2014-04-26T09:37:07Z-
dc.date.available2014-04-26T09:37:07Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Серия B, Промышленность. Прикладные науки. - 2010. - № 8. – С. 119-124.ru_RU
dc.identifier.issn2070-1616-
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/2166-
dc.descriptionSURFACE HARDENING OF GALLIUM ARSENIDE MONOCRYSTALS AT HIGHTEMPERATURE HEAT TREATING / канд. физ.-мат. наук Д.И. БРИНКЕВИЧ (Белорусский государственный университет, Минск); Наталья Вячеславовна ВАБИЩЕВИЧ, кандидат физико-математических наук, доцент Сергей Ананьевич ВАБИЩЕВИЧ (Полоцкий государственный университет). kand. fiz.-mat. nauk D.I. BRINKEVICh (Belorusskij gosudarstvennyj universitet, Minsk); Natal'ja Vjacheslavovna VABIShhEVICh, kandidat fiziko-matematicheskih nauk, docent Sergej Anan'evich VABIShhEVICh (Polockij gosudarstvennyj universitet)ru_RU
dc.description.abstractМетодом микроиндентирования исследованы физико-механические характеристики (микротвердость, микрохрупкость, трещиностойкость) термообработанных при температуре 910 ?С в течение 24 часов в атмосфере инертного газа монокристаллов GaAs, полученных методом Чохральского. Установлено, что термообработка приводит к разупрочнению приповерхностной области GaAs – снижению значений микротвердости и трещиностойкости. Геттерирующая термообработка с пленками (Cr, V, AlN) усиливает приповерхностное разупрочнение GaAs, причем наиболее сильное влияние оказывала термообработка с пленкой Cr, а наименьшее – с пленкой AlN. Показано, что эффект приповерхностного разупрочнения обусловлен генерацией вакансий вследствие испарения из приповерхностной области мышьяка и очисткой указанной области от междоузельных примесей. = Physic-mechanical characteristics (microhardness, microfragility, crack formation) of monocrystals GaAs received by the Czochralski method and heat treating at temperature 910 °С within 24 hours per an at-mosphere of inert gas was investigated by the microindention method. It was established, that heat treatment leads to surface dishardening of GaAs – to decrease of microhardness and crack formation resistance. Gettering heat treatment with Cr, V and AlN films strengthens surface dishardening of GaAs, and the strongest influence heat treatment with Cr film rendered, and the least – with AlN film. It was shown, that the surface dishardening effect is caused by generation of vacancies owing to arsenic evaporation from surface layer and clearing of the surface layer from interstitial impurities.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя B, Прамысловасць. Прыкладныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series B, Industry. Applied Sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия B, Промышленность. Прикладные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия B, Промышленность. Прикладные науки;2010. - № 8-
dc.rightsopen accessru_RU
dc.subjectматериаловедениеru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectтермообработкаru_RU
dc.subjectприповерхностное разупрочнениеru_RU
dc.subjectфизико-механические свойстваru_RU
dc.titleРазупрочнение приповерхностного слоя монокристаллов арсенида галлия при высокотемпературной обработкеru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:2010, № 8

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
119-124.pdf326.7 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.