Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/22954
Title: Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бора
Authors: Вабищевич, С. А.
Васюков, А. В.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Keywords: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Фоторезист
Ионная имплантация
Модификация поверхности
Атомно-силовая микроскопия
Photoresist
Ion implantation
Surface modification
Atomic force microscopy
Issue Date: Sep-2018
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2018. - № 12. - C. 37-41
Series/Report no.: Серия C, Фундаментальные науки;2018. - № 12
Abstract: Методом атомно-силовой микроскопии исследована модификация поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированного ионами B+ с энергией 100 кэВ в интервале доз 5×1014–1×1016 cм-2. Обнаружено формирование при низких дозах имплантации ионов пирамидальных структур высотой до 19 нм и размерами в основании до 4–20 нм, хаотично расположенных на поверхности фоторезистивных пленок. Увеличение дозы имплантации свыше 1∙1015 см-2 приводит к сглаживанию пирамидальных структур. Их высота снижается до 2–5 нм, а размеры в основании увеличиваются до 5–100 нм. Формирование указанных структур обусловлено релаксацией локальных упругих напряжений сжатия в полимерной пленке.= Using atomic-force microscopy, we studied the modification of the surface of a positive photoresist of FP9120 implanted with B+ ions with energy of 100 keV in the dose range of 5∙1014–1∙1016 cm-2. It was found that, at low doses of implantation of ions, pyramidal structures with heights of up to 19 nm and dimensions at the base of up to 4–20 nm randomly located on the surface of photoresist films were found. Increasing the implantation dose over 1∙1015 cm-2 leads to smoothing of the pyramidal structures. Their height decreases to 2–5 nm, and the dimensions at the base increase to 50–100 nm. The formation of these structures is due to the relaxation of local elastic compressive stresses in the polymer film.
Description: ATOMIC-POWER MICROSCOPY OF FILMS OF POSITIVE DIAZOKHINONNOVOLACHNY PHOTORESIST IMPLANTED BY BORON IONS S. VABISHCHEVICH, A. VASUKOV, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH
URI: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/22954
ISSN: 2070-1624
Appears in Collections:2018, № 12

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Вабищевич_2018-12.pdf408.49 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.