Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/2801| Title: | Физико-механические свойства эпитаксиальных слоев фосфида галлия |
| Authors: | Бринкевич, Д. И. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, С. А. |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки : научно-теоретический журнал. - 2010. - № 9. - C. 92-97. |
| Abstract: | Методом микроиндентирования исследованы физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе индия. Установлено, что изовалентная примесь индия приводит к снижению микротвердости, микрохрупкости и трещиностойкости эпитаксиальных слоев. В образцах с включениями лантаноидов на случайном распределении значений микротвердости наблюдаются два максимума, один из которых ответственен за включения, а другой - за чистый монокристалл. |
| Keywords: | Энергетика Проводниковые материалы и изделия |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/2801 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| Appears in Collections: | 2010, № 9 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.