Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/2909
Название: Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP<Dy>
Авторы: Бринкевич, Д. И.
Вабищевич, Н. В.
Просолович, В. С.
Другие названия: Micromechanical properties of GaP〈Dy〉 epilayers
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание: Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48. - № 8. - С. 878-883
Inorganic Materials. - 2012. - Volume 48. - Issue 8. - Pp. 768-772
Аннотация: Методом микроиндентирования исследованы физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе индия. Установлено, что выращивание эпитаксиальных слоев GaP из растворов-расплавов на основе индия приводит к снижению их микротвердости, микрохрупкости и трещиностойкости. Добавление в раствор-расплав примеси РЗЭ неоднозначно влияет на прочностные характеристики эпитаксиальных слоев. При малых концентрациях в зависимости от условий выращивания возможно как снижение микротвердости эпитаксиальных слоев, так и их упрочнение. В образцах с включениями РЗЭ на случайном распределении значений микротвердости наблюдаются два максимума, один из которых ответственен за включения РЗЭ, а другой – за область монокристалла, не содержащую примеси лантаноида в значительном количестве.
The physicomechanical properties of GaP epilayers grown by liquid phase epitaxy from indium-based high-temperature solutions have been studied using microindentation. The results demonstrate that the growth of GaP epilayers from indium-based high-temperature solutions leads to a reduction in their microhardness, microbrittleness, and fracture toughness. The addition of a rare-earth dopant to a high-temperature solution has an ambiguous effect on the strength of the epilayers. Low rare-earth concentrations may both reduce and increase the microhardness of the epilayers, depending on epitaxy conditions. The random microhardness distribution of samples containing rare-earth inclusions has two peaks: one due to the rareearth inclusions, and the other due to the region with a relatively low lanthanide concentration.
Ключевые слова: Физика
эпитаксиальные слои
GaP
диспрозий
epilayers
Dy
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/2909
Располагается в коллекциях:Публикации в Scopus и Web of Science

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
brinkevich_2012_48_8_768-772.pdf125.48 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
878.pdf309.62 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.