Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/43946
Title: Облученные электронами пленки полиимида PI2610 на монокристаллическом кремнии
Authors: Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Шуляковская, М. Б.
Колос, В. В.
Зубова, О. А.
Vabishchevich, S.
Vabishchevich, N.
Brinkevich, D.
Prosolovich, V.
Shulyakovskaya, M.
Kolos, V.
Zubova, O.
Other Titles: Electron Irradiated Pi2610 Polyimide Films on Monocrystalline Silicon
Issue Date: 2024
Publisher: Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой
Citation: Вабищевич, С. А. Облученные электронами пленки полиимида PI2610 на монокристаллическом кремнии / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 1 (42). - С. 41-46. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-42-1-41-46
Abstract: Исследованы оптические и прочностные свойства облученных электронами пленок полиимидной композиции (полиимида PI2610), нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Облучение электронами с энергией 5 МэВ выполнялось на линейном ускорителе У-003 в интервале доз от 1·1014 до 2·1015 cм–2. Экспериментально установлено, что при дозе облучения Ф = 1?1014 см–2 наблюдается релаксация полей упругих напряжений в пленке полиимида, которая выражается в модификации формы полос с максимумами при 1349 и 1700 см–1, обусловленных колебаниями C–N–Cst-связи и двойной связи С=О имидного цикла. Пленки полиимида PI-2610 на кремнии при облучении электронами достаточно стабильны. Заметная трансформация спектра нарушенного полного внутреннего отражения при дозе 2?1015 см–2 наблюдалась только в области валентных колебаний С–Ни О–Нсвязей, что обусловлено радиационно-индуцированными процессами на побочных продуктах синтеза полиимида и остаточных растворителях. Заметного снижения интенсивности полос поглощения, обусловленных колебаниями скелета ароматического кольца, имидного цикла, одиночных и двойных С–Си С–Освязей и имидных С=О-связей не наблюдалось.
metadata.local.description.annotation: The optical and strength properties of electron-irradiated films of a polyimide composition (polyimide PI2610) deposited on the surface of single-crystalline silicon wafers of the KDB-10 grade by centrifugation were studied. Irradiation with electrons with an energy of 5 MeV was carried out on a linear accelerator U-003 in the dose range 1·1014 – 2·1015 cm–2. It has been experimentally established that at an irradiation dose of Ф = 1?1014 cm–2, relaxation of elastic stress fields in the polyimide film is observed, which is expressed in modification of the shape of bands with maxima at 1349 and 1700 cm–1, caused by vibrations of the C–N–Cst bond and the C=O double bond imide ring. Polyimide PI-2610 films on silicon are quite stable when irradiated with electrons. A noticeable transformation of the ATR spectrum at a dose of 2?1015 cm–2 was observed only in the region of stretching vibrations of C–H and O–H bonds, which is due to radiation-induced processes on by-products of polyimide synthesis and residual solvents. No noticeable decrease in the intensity of absorption bands caused by vibrations of the skeleton of the aromatic ring, imide ring, single and double C–C and C–O bonds, and imide C=O bonds was observed.
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/43946
metadata.dc.rights: open access
metadata.dc.identifier.doi: 10.52928/2070-1624-2024-42-1-41-46
Appears in Collections:2024, № 1 (42)

Files in This Item:
File SizeFormat 
41-46.pdf396.98 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.