Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/15438
Title: Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии
Authors: Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: Физика
Cубмикронная литография
Измерение микротвердости
метод склерометрии
фоторезист-кремний
Issue Date: Oct-2015
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2015. - № 12. - C. 67-71
Series/Report no.: Серия C, Фундаментальные науки;2015. - № 12
Abstract: Методами индентирования и склерометрии исследованы прочностные свойства структур фо- торезист-кремний. Пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1,0–5,0 мкм наносились на пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Установлено, что микротвердость, определяемая методом склерометрии, на 20–40 % больше микротвердости, полученной методом мик- роиндентирования. При использовании нагрузки, равной 1–2 г, более точные значения микротвердости измерены методом склерометрии. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанного различий – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают.= The strength properties of the structures of the photoresist-silicon was investigated by indenting and scratching methods. Film positive photoresist with thickness of 1.0–5.0 μm was deposited on silicon wafers of various brands by the centrifugation method. It was found that the microhardness as determined by sclerometer, 20–40 % more than microhardness obtained by the microindentation methods. When using the load, which equals 1–2 g, more accurate values of microhardness gives the scratching method. Increasing the load to 10 or more grams leads to a leveling of the specified differences – values of microhardness obtained by both methods coincide.
Description: STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD. S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH (Polotsk State University); D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI (Белорусский государственный университет, Минск)
URI: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/15438
ISSN: 2070-1624
Appears in Collections:2015, № 12

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Вабищевич и др_2015-12_с67-71.pdf233.25 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.