Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/432
Title: Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si
Authors: Бринкевич, Д. И.
Петров, В. В.
Просолович, В. С.
Вабищевич, Н. В.
Вабищевич, С. А.
Петлицкий, А. Н.
Keywords: Электротехника в целом
монокристаллический кремний
приповерхностные слои
Issue Date: Dec-2011
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки: научно-теоретический журнал.- Новополоцк : ПГУ, 2011.- № 12.- С. 73-76
Series/Report no.: Серия C, Фундаментальные науки;2011. - № 12
Abstract: Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния.
Description: SILICON YARDENING AT THE SiO2/Si INTERFACE / D. BRINKEVICH, V. PETROV, V. PROSOLOVICH, N. VABISHCHEVICH, S. VABISHCHEVICH, A. PETLITSKIY
URI: http://elib.psu.by:8080/handle/123456789/432
Appears in Collections:2011, № 12

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Brinkevich_2011-12-p73.pdf260.96 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.