<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/301" />
  <subtitle />
  <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/301</id>
  <updated>2026-04-20T19:28:45Z</updated>
  <dc:date>2026-04-20T19:28:45Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Влияние числа и стабильности отсчетов мгновенных значений напряжений на погрешности вычисления показателей качества электрической энергии</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/436" />
    <author>
      <name>Вершинин, А. С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Авдейко, В. П.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/436</id>
    <updated>2023-06-15T13:05:02Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Влияние числа и стабильности отсчетов мгновенных значений напряжений на погрешности вычисления показателей качества электрической энергии
Authors: Вершинин, А. С.; Авдейко, В. П.
Abstract: Представлены результаты исследования методической погрешности вычисления показателей качества электрической энергии в цифровых измерителях ПКЭ в зависимости от числа и стабильности отсчетов мгновенных значений напряжения на периоде сетевой частоты при синхронной частоте дискретизации. Исследования проведены численными методами в пакете MathCad для двух моделирующих функций сетевого напряжения с разными начальными фазами в виде идеальной синусоиды и в виде смеси гармоник при точной синхронизации и при синхронизации с ошибкой частоты дискретизации. Результаты вычисления указанных методических погрешностей приведены в виде графиков относительных погрешностей вычисления действующих значений напряжений и амплитуд гармоник от числа отсчетов на периоде сетевой частоты и от точности синхронизации частоты дискретизации. По полученным результатам сделаны выводы и сформулированы требования к выбору частоты дискретизации и точности ее синхронизации к частоте сети в зависимости от требуемой точности определения ПКЭ.
Description: The Influence of Number and Stability of Instantaneous Indication of Voltage on the Errors at the Calculation of Unified Power Quality Index (Upqi) / A. Vershinin, V. Avdeyko</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Использование дислокационной мезоскопической модели для расчета полей смещений и деформаций в системе "клиновидный нанодвойник - полная дислокация"</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/435" />
    <author>
      <name>Остриков, О. М.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/435</id>
    <updated>2023-06-15T13:05:02Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Использование дислокационной мезоскопической модели для расчета полей смещений и деформаций в системе "клиновидный нанодвойник - полная дислокация"
Authors: Остриков, О. М.
Abstract: Получены математические соотношения для расчета деформированного состояния у клиновидного нанодвойника и находящейся возле него полной дислокации. С использованием данных соотношений впервые рассчитаны поля смещений и деформаций в системе «некогерентный нанодвойник – полная дислокация». Установлено, что существенное влияние на конфигурацию полей смещений и деформаций у двойниковых границ полная дислокация оказывает лишь при ее нахождении в непосредственной близости к двойнику. Изменение направления вектора Бюргерса полной дислокации позволяет управлять конфигурацией полей смещений и деформаций у нанодвойника. Результаты имеют важное значение в области механики двойникования реальных материалов, когда двойникование сопровождается скольжением, обусловленным полными дислокациями.
Description: Use Dislocation Mesoscopic Models for Calculation of Fields of Displacement and Deformations in System “Wedge Kind Nanotwin – a Full Dislocation” / O. Ostrikov</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Отражение электромагнитных волн от слоистых сред</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/433" />
    <author>
      <name>Орлова, О. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Щаденков, Ю. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Янушкевич, В. Ф.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/433</id>
    <updated>2023-06-15T13:05:02Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Отражение электромагнитных волн от слоистых сред
Authors: Орлова, О. В.; Щаденков, Ю. А.; Янушкевич, В. Ф.
Abstract: Представлены результаты теоретического анализа взаимодействия электромагнитных волн с углеводородной залежью. В работе приведены критерии выбора характеристик зондирующих сигналов для поиска анизотропных образований, методика моделирования среды над залежью углеводородов, технические решения, позволяющие снизить массу и габариты радиотехнических систем поиска углеводородных залежей. Представлены результаты для количественного повышения эффективности поиска и выделения залежей углеводородов на основе использования электромагнитных волн. Даны рекомендации по разработке методов поиска углеводородных залежей. Разработаны методы поиска залежей углеводородов, основанные на использовании оптимальных соотношений частот электромагнитных волн. В статье представлены результаты определения глубины залегания углеводородных залежей. Результаты исследований могут быть использованы в области геофизики, радиолокации, электроники.
Description: Reflection of Electromagnetic Waves of Layer Environments / O. Orlova, Y. Shchadenkov, V. Yanushkevich</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/432" />
    <author>
      <name>Бринкевич, Д. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Петров, В. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Просолович, В. С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Вабищевич, Н. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Вабищевич, С. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Петлицкий, А. Н.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/432</id>
    <updated>2023-06-15T13:05:02Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si
Authors: Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Просолович, В. С.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Петлицкий, А. Н.
Abstract: Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния.
Description: Silicon Yardening at the Sio2/Si Interface / D. Brinkevich, V. Petrov, V. Prosolovich, N. Vabishchevich, S. Vabishchevich, A. Petlitskiy</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

