https://elib.psu.by/handle/123456789/32389 2025-10-18T21:15:21Z 2025-10-18T21:15:21Z Игнатьева, С. А. Ihnatsyeva, S. https://elib.psu.by/handle/123456789/32397 2023-06-15T13:07:27Z 2022-01-01T00:00:00Z

Title: Принципы организации и анализ подходов к повышению точности повторной идентификации людей в распределенных системах видеонаблюдения Authors: Игнатьева, С. А.; Ihnatsyeva, S. Abstract: Приведена классификация существующих систем повторной идентификации по таким критериям, как тип системы, количество и вид запросов, время работы. Рассмотрена общая схема, отражающая основной принцип работы систем повторной идентификации, а также основные подходы и методы для решения этой задачи с использованием сверточных нейронных сетей. Выполнено исследование существующих способов повышения точности работы алгоритмов и систем повторной идентификации. Проведен анализ влияния выбора гиперпараметров при обучении сверточных нейронных сетей на эффективность и динамику обучения алгоритма повторной идентификации.

2022-01-01T00:00:00Z Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Колос, В. В. Зубова, О. А. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Brinkevich, D. Prosolovich, V. Kolos, V. Zubova, O. https://elib.psu.by/handle/123456789/32402 2023-06-15T13:07:27Z 2022-01-01T00:00:00Z

Title: Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии Authors: Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Kolos, V.; Zubova, O. Abstract: Исследованы адгезионные и прочностные свойства пленок фоторезиста (ФР) для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Установлено, что они ведут себя как хрупкие материалы. Микротвердость ФР, измеренная при малых нагрузках, составляла ~0,3 ГПа, слабо снижаясь при увеличении толщины пленки. Параметры трещиностойкости (коэффициент вязкости разрушения K1С и эффективная энергия разрушения γ) при малых нагрузках не зависят от толщины пленки. Скорость возрастания трещиностойкости при увеличении нагрузки зависела от толщины пленки и была большей для тонких пленок. Удельная энергия отслаивания G при нормальной нагрузке составляла ~1,2 Дж/м2 для толстых и ~0,7 Дж/м2 для тонких пленок. Более высокие значения G для толстых пленок обусловлены, вероятнее всего, компенсацией полей упругих напряжений, возникающих на границе раздела фоторезист/кремний. Проведено сравнение прочностных свойств фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4 и позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120.

2022-01-01T00:00:00Z Ходосевич, А. В. Богуш, Р. П. Hodosevich, A. Bohush, R. https://elib.psu.by/handle/123456789/32399 2023-06-15T13:07:27Z 2022-01-01T00:00:00Z

Title: Клиент-серверная система управления парковками на основе анализа данных систем видеонаблюдения Authors: Ходосевич, А. В.; Богуш, Р. П.; Hodosevich, A.; Bohush, R. Abstract: Представлена веб-система для контроля и управления парковками на основе анализа изображений, формируемых видеокамерами наблюдения. Для сегментации парковочных мест разработан алгоритм, позволяющий автоматически определять координаты парковочных мест на кадрах видео с использованием адаптивного алгоритма бинаризации Оцу и алгоритма Хафа для обнаружения линий. Классификация парковочных мест по типу занятости выполняется с применением сверточной нейронной сети ResNet50. Приведены особенности реализации серверной части, описана разработанная диаграмма классов и их основное назначение. Клиентская часть системы представляет собой адаптивный веб-сайт, доступ к которому можно получить с помощью персонального компьютера или мобильного устройства. Показаны примеры основных функциональных возможностей программного обеспечения.

2022-01-01T00:00:00Z Аманова, М. А. Навныко, В. Н. Шепелевич, В. В. Amanova, M. Naunyka, V. Shepelevich, V. https://elib.psu.by/handle/123456789/32400 2023-06-15T13:07:27Z 2022-01-01T00:00:00Z

Title: Влияние обратного пьезоэлектрическогои фотоупругого эффектов на указательную поверхность нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла BiTiO Authors: Аманова, М. А.; Навныко, В. Н.; Шепелевич, В. В.; Amanova, M.; Naunyka, V.; Shepelevich, V. Abstract: Построена и проанализирована указательная поверхность нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости фоторефрактивного кристалла Bi12TiO20 класса симметрии 23. Определены экстремальные значения указательной поверхности нормальной составляющей для кристалла Bi12TiO20 с записанной фазовой голографической решеткой. Показано, что совместное действие фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов приводит к изменению максимальных и минимальных значений нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла с волновым вектором голографической решетки, ориентированным вдоль кристаллографического направления [112].

2022-01-01T00:00:00Z