<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/43939" />
  <subtitle />
  <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/43939</id>
  <updated>2026-02-03T22:58:18Z</updated>
  <dc:date>2026-02-03T22:58:18Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Облученные электронами пленки полиимида PI2610 на монокристаллическом кремнии</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/43946" />
    <author>
      <name>Вабищевич, С. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Вабищевич, Н. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Бринкевич, Д. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Просолович, В. С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Шуляковская, М. Б.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Колос, В. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Зубова, О. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Vabishchevich, S.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Vabishchevich, N.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Brinkevich, D.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Prosolovich, V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Shulyakovskaya, M.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kolos, V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Zubova, O.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/43946</id>
    <updated>2024-05-02T11:16:07Z</updated>
    <published>2024-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Облученные электронами пленки полиимида PI2610 на монокристаллическом кремнии
Authors: Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Шуляковская, М. Б.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Shulyakovskaya, M.; Kolos, V.; Zubova, O.
Abstract: Исследованы оптические и прочностные свойства облученных электронами пленок полиимидной композиции (полиимида PI2610), нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Облучение электронами с энергией 5 МэВ выполнялось на линейном ускорителе У-003 в интервале доз от 1·1014 до 2·1015 cм–2. Экспериментально установлено, что при дозе облучения Ф = 1?1014 см–2 наблюдается релаксация полей упругих напряжений в пленке полиимида, которая выражается в модификации формы полос с максимумами при 1349 и 1700 см–1, обусловленных колебаниями C–N–Cst-связи и двойной связи С=О имидного цикла. Пленки полиимида PI-2610 на кремнии при облучении электронами достаточно стабильны. Заметная трансформация спектра нарушенного полного внутреннего отражения при дозе 2?1015 см–2 наблюдалась только в области валентных колебаний С–Ни О–Нсвязей, что обусловлено радиационно-индуцированными процессами на побочных продуктах синтеза полиимида и остаточных растворителях. Заметного снижения интенсивности полос поглощения, обусловленных колебаниями скелета ароматического кольца, имидного цикла, одиночных и двойных С–Си С–Освязей и имидных С=О-связей не наблюдалось.</summary>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Пленки полиимида, имплантированные ионами марганца</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/43945" />
    <author>
      <name>Вабищевич, С. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Вабищевич, Н. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Бринкевич, Д. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Просолович, В. С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Лукашевич, М. Г.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Ющик, А. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Харченко, А. А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Vabishchevich, S.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Vabishchevich, N.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Brinkevich, D.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Prosolovich, V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Lukashevich, M.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Yushchik, A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kharchenko, A.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/43945</id>
    <updated>2024-05-02T11:16:07Z</updated>
    <published>2024-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Пленки полиимида, имплантированные ионами марганца
Authors: Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Ющик, А. В.; Харченко, А. А.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Lukashevich, M.; Yushchik, A.; Kharchenko, A.
Abstract: Исследованы оптические и прочностные свойства пленок полиимида марки каптон, имплантированных ионами марганца энергией 40 кэВ и дозой 5·1016 – 1·1017 см–2 при плотности тока в ионном пучке 4 мкА/см2. Экспериментально установлено, что в процессе ионной имплантации происходит модификация тонкого приповерхностного слоя полиимида не только с имплантированной, но и с обратной стороны пленки. Радиационно-стимулированная модификация обратной поверхности пленки полиимида приводит к формированию поверхностного слоя толщиной до 5 мкм с повышенной микротвердостью. Это может быть обусловлено перестройкой метастабильных дефектов, сформировавшихся в процессе изготовления пленки, и одновременной релаксацией упругих напряжений в приповерхностном слое. В процессе имплантации наблюдается снижение интенсивности полос поглощения с максимумами при ~ 2870 и ~ 2750 нм, обусловленное испарением остаточной воды в условиях высокого вакуума и реакциями молекул остаточных растворителей, а также радиационно-индуцированными процессами на побочных продуктах синтеза полиимида.</summary>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Параметры возмущенного состояния вершины дендрита в глубоко переохлажденных расплавах никеля и меди</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/43949" />
    <author>
      <name>Шабловский, О. Н.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Кроль, Д. Г.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Shablovsky, O.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kroll, D.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/43949</id>
    <updated>2024-05-02T11:16:07Z</updated>
    <published>2024-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Параметры возмущенного состояния вершины дендрита в глубоко переохлажденных расплавах никеля и меди
Authors: Шабловский, О. Н.; Кроль, Д. Г.; Shablovsky, O.; Kroll, D.
Abstract: Объект исследования – морфологическая устойчивость вершины свободного дендрита в переохлажденном расплаве чистого вещества. Рассмотрены области глубоких переохлаждений: для никеля DT &gt; 166 K, для меди DT &gt; 180 K. Отличительная черта изучаемых процессов – наличие двух скоростей распространения малых возмущений (скоростей «звука»). Определены зависимости этих скоростей от переохлаждения расплава. Подробно изучены периодический и апериодический по координате режимы возмущения линии роста. Для этих устойчивых режимов обнаружена возможность наблюдения одной и той же скорости волны возмущения в двух процессах, отличающихся один от другого размерами пространственной неоднородности фона перед волной и характерными временами затухания волны. Показано, что апериодическая неустойчивость появляется, если после прохождения фронта волны ширина зоны неоднородности линии роста уменьшается. Резонансный режим возбуждения вершины дендрита демонстрирует важные различия между свойствами расплава никеля и меди. Прежде всего это относится к температурным зависимостям резонансной частоты и скорости стоячей волны, формирующейся в окрестности вершины. Приведены численные расчеты и представлена графическая информация, иллюстрирующая закономерности роста дендритов никеля и меди.</summary>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Программное обеспечение для автоматизации профессионального отбора персонала и аттестации служащих ОАО «Нафтан» на основе модели ключевых компетенций</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/43940" />
    <author>
      <name>Голубева, О. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Чертков, В. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Гарист, Е. Ю.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Пешкова, Г. Ю.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Golubeva, O.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Chertkov, V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Haryst, K.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Peshkova, G.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/43940</id>
    <updated>2024-05-02T11:16:07Z</updated>
    <published>2024-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Программное обеспечение для автоматизации профессионального отбора персонала и аттестации служащих ОАО «Нафтан» на основе модели ключевых компетенций
Authors: Голубева, О. В.; Чертков, В. М.; Гарист, Е. Ю.; Пешкова, Г. Ю.; Golubeva, O.; Chertkov, V.; Haryst, K.; Peshkova, G.
Abstract: Формирование работоспособного и высокоэффективного коллектива – главная задача кадровой работы на предприятиях нефтехимического комплекса, являющихся объектами повышенной опасности. К квалификации инженерно-технического персонала нефтеперерабатывающих предприятий предъявляются высокие требования. Процесс отбора кандидатов на работу по техническим или инженерным специальностям достаточно трудоемок. Разработка программного обеспечения для автоматизации процесса отбора персонала и аттестации служащих ОАО «Нафтан» на основе модели ключевых профессиональных компетенций улучшит процедуру эффективности найма, позволит уже на начальных этапах обрабатывать большее количество заявок претендентов и фокусироваться на лучших из них.</summary>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

