<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/472" />
  <subtitle />
  <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/472</id>
  <updated>2026-04-21T14:35:32Z</updated>
  <dc:date>2026-04-21T14:35:32Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Распределение тепловой мощности в образцах пиломатериала при нагреве энергией СВЧ-поля частотой 2,45 ГГц</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/521" />
    <author>
      <name>Адамович, А. Л.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Грозберг, Ю. Г.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Бульбенкова, Т. А.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/521</id>
    <updated>2023-06-14T13:31:37Z</updated>
    <published>2012-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Распределение тепловой мощности в образцах пиломатериала при нагреве энергией СВЧ-поля частотой 2,45 ГГц
Authors: Адамович, А. Л.; Грозберг, Ю. Г.; Бульбенкова, Т. А.
Abstract: Рассмотрена электродинамическая задача прямого и углового падения СВЧ-поля частотой 2,45 ГГц от волноводно-щелевой антенны на полубесконечную пластину с диэлектрическими характеристиками, соответствующими древесине при перпендикулярной ориентации вектора напряженности падающего поля относительно волокон. Рассмотрена задача облучения энергией СВЧ-поля пластины конечной толщины в режиме стоячей волны, образованной отражением от металлической поверхности, размещенной за пластиной. Проведено численное решение поставленных задач методом конечных элементов в двухмерной области. Представлены и проанализированы результаты моделирования – зависимость глубины проникновения выделяемой тепловой мощности в пластине и коэффициента отражения СВЧ-поля от ее влагосодержания, температуры и угла наклона облучающей антенны. Показано распределение тепловой мощности в сечении пластин различной толщины, соответствующей толщине пиломатериалов стандартных сортаментов.</summary>
    <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Инновационные технологии в машиностроении "ИннТехМаш-11"</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/519" />
    <author>
      <name>Попок, Н. Н.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Иванов, В. П.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/519</id>
    <updated>2023-06-14T13:31:37Z</updated>
    <published>2012-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Инновационные технологии в машиностроении "ИннТехМаш-11"
Authors: Попок, Н. Н.; Иванов, В. П.</summary>
    <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Оптимизация структуры массива фильтров-дециматоров с конечной импульсной характеристикой для реализации в программируемых логических интегральных схемах</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/518" />
    <author>
      <name>Белорусов, Д. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Щаденков, Ю. А.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/518</id>
    <updated>2023-06-14T13:31:37Z</updated>
    <published>2012-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Оптимизация структуры массива фильтров-дециматоров с конечной импульсной характеристикой для реализации в программируемых логических интегральных схемах
Authors: Белорусов, Д. И.; Щаденков, Ю. А.
Abstract: Рассматривается архитектура конечной импульсной характеристики (КИХ) фильтра-дециматора буферного типа. Прорабатываются вопросы построения и реализации фильтра, которые позволяют значительно снизить требования к ресурсам ПЛИС при реализации массива фильтров для представления сигнала в цифровых полосах различного номинала. В качестве ключевого и наиболее «дефицитного» ресурса ПЛИС выбран умножитель. В статье приводится описание классической реализации КИХ-фильтра, рассчитывается количество умножителей, необходимых для ее реализации. В качестве альтернативы классического КИХ-фильтра-дециматора предлагается реализация КИХ-фильтра-дециматора буферного типа, а также прорабатываются вопросы оптимизации и симуляции предлагаемого фильтра. В основу оптимизации положены принципы сокращения количества умножений данных на коэффициенты фильтра: первый принцип – использование фильтра с симметричными относительно центрального коэффициентами; второй принцип – использование полуполосного фильтра с четными коэффициентами, равными нулю.</summary>
    <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Исследование влияния электрических режимов плазмообразования на локальную химическую активность плазмы СВЧ-разряда</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.psu.by/handle/123456789/517" />
    <author>
      <name>Бордусов, С. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Мадвейко, С. И.</name>
    </author>
    <id>https://elib.psu.by/handle/123456789/517</id>
    <updated>2023-06-14T13:31:37Z</updated>
    <published>2012-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Исследование влияния электрических режимов плазмообразования на локальную химическую активность плазмы СВЧ-разряда
Authors: Бордусов, С. В.; Мадвейко, С. И.
Abstract: Исследуются скорости СВЧ-плазмохимического удаления фоторезистивных пленок с поверхности кремниевых пластин в зависимости от формы и частоты следования импульсов выходных сигналов анодного напряжения и тока источника вторичного электропитания СВЧ-магнетрона, построенного на базе высоковольтного трансформатора, работающего в режиме насыщения. Рассматривается влияние различного количества объектов обработки, расположенных в объеме разрядной камеры, на скорость плазмохимического удаления фоторезистивных пленок с поверхности кремниевых пластин. Установлена возможность стабильной и устойчивой работы низкодобротного СВЧ-магнетрона непрерывного действия (типа М-105, М-112) на плазменную нагрузку с упрощенными схемами питания выпрямленным нефильтрованным напряжением с частотой следования электрических импульсов 50 и 100 Гц. Определена более высокая (в 1,3 раза) эффективность применения для целей СВЧ-плазмохимической обработки полупроводниковых пластин 100-герцовой схемы питания СВЧ-магнетрона с умножением анодного напряжения по сравнению с 50-герцовой при одинаковых величинах потребляемой источниками питания электрической мощности. Установлен эффект влияния на скорость процесса плазменного удаления фоторезистивных пленок с поверхности полупроводниковых пластин задержки начала плазмообразования по отношению к началу генерации магнетроном СВЧ-мощности.</summary>
    <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

