DSpace Collection:
https://elib.psu.by/handle/123456789/28883
2024-03-28T17:46:41ZРесурсосбережение и качество ремонта агрегатов машин с восстановлением их деталей. Глава 2. Совершенствование процессов восстановления деталей : монография
https://elib.psu.by/handle/123456789/20807
Title: Ресурсосбережение и качество ремонта агрегатов машин с восстановлением их деталей. Глава 2. Совершенствование процессов восстановления деталей : монография
Authors: Вигерина, Т. В.
Abstract: Вопросы трения, изнашивания в машинах и повышения износостойкости деталей рассмотрены в работах И.В. Крагельского, Д.Н. Гаркунова, А.В. Чичинадзе, П.Н. Богдановича, В.Я. Прушака и многих других ученых. Согласно данным многочисленных исследований, основное влияние на работоспособность деталей машин, работающих в условиях трения скольжения, оказывает изнашивание. Ему также сопутствуют явления, ускоряющие разрушение поверхностей деталей машин.2012-01-01T00:00:00ZВерхнелужицкая литература в эпоху национального возрождения XIX в.: Вводная глава : монография
https://elib.psu.by/handle/123456789/20716
Title: Верхнелужицкая литература в эпоху национального возрождения XIX в.: Вводная глава : монография
Authors: Гугнин, А. А.
Description: Gugnin AA Verkhneluzhitskaya literature in the epoch of national revival of the XIX century .: Introductory chapter1995-01-01T00:00:00ZРедкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монография
https://elib.psu.by/handle/123456789/20540
Title: Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монография
Authors: Вабищевич, С. А.
Abstract: Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений.
Description: Vabishchevich, SA Behavior of Si: P3E in the fields of ionizing radiations // Rare-earth elements in monocrystalline silicon2003-01-01T00:00:00ZРедкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография
https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Title: Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография
Authors: Вабищевич, С. А.
Abstract: Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений.
Description: Vabishchevich, SA Thermal Defect Formation in Si: P3E // Rare-earth Elements in Monocrystalline Silicon2003-01-01T00:00:00Z