https://elib.psu.by/handle/123456789/301 2026-04-20T19:28:45Z https://elib.psu.by/handle/123456789/436 Title: Влияние числа и стабильности отсчетов мгновенных значений напряжений на погрешности вычисления показателей качества электрической энергии Authors: Вершинин, А. С.; Авдейко, В. П. Abstract: Представлены результаты исследования методической погрешности вычисления показателей качества электрической энергии в цифровых измерителях ПКЭ в зависимости от числа и стабильности отсчетов мгновенных значений напряжения на периоде сетевой частоты при синхронной частоте дискретизации. Исследования проведены численными методами в пакете MathCad для двух моделирующих функций сетевого напряжения с разными начальными фазами в виде идеальной синусоиды и в виде смеси гармоник при точной синхронизации и при синхронизации с ошибкой частоты дискретизации. Результаты вычисления указанных методических погрешностей приведены в виде графиков относительных погрешностей вычисления действующих значений напряжений и амплитуд гармоник от числа отсчетов на периоде сетевой частоты и от точности синхронизации частоты дискретизации. По полученным результатам сделаны выводы и сформулированы требования к выбору частоты дискретизации и точности ее синхронизации к частоте сети в зависимости от требуемой точности определения ПКЭ. Description: The Influence of Number and Stability of Instantaneous Indication of Voltage on the Errors at the Calculation of Unified Power Quality Index (Upqi) / A. Vershinin, V. Avdeyko 2011-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/435 Title: Использование дислокационной мезоскопической модели для расчета полей смещений и деформаций в системе "клиновидный нанодвойник - полная дислокация" Authors: Остриков, О. М. Abstract: Получены математические соотношения для расчета деформированного состояния у клиновидного нанодвойника и находящейся возле него полной дислокации. С использованием данных соотношений впервые рассчитаны поля смещений и деформаций в системе «некогерентный нанодвойник – полная дислокация». Установлено, что существенное влияние на конфигурацию полей смещений и деформаций у двойниковых границ полная дислокация оказывает лишь при ее нахождении в непосредственной близости к двойнику. Изменение направления вектора Бюргерса полной дислокации позволяет управлять конфигурацией полей смещений и деформаций у нанодвойника. Результаты имеют важное значение в области механики двойникования реальных материалов, когда двойникование сопровождается скольжением, обусловленным полными дислокациями. Description: Use Dislocation Mesoscopic Models for Calculation of Fields of Displacement and Deformations in System “Wedge Kind Nanotwin – a Full Dislocation” / O. Ostrikov 2011-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/433 Title: Отражение электромагнитных волн от слоистых сред Authors: Орлова, О. В.; Щаденков, Ю. А.; Янушкевич, В. Ф. Abstract: Представлены результаты теоретического анализа взаимодействия электромагнитных волн с углеводородной залежью. В работе приведены критерии выбора характеристик зондирующих сигналов для поиска анизотропных образований, методика моделирования среды над залежью углеводородов, технические решения, позволяющие снизить массу и габариты радиотехнических систем поиска углеводородных залежей. Представлены результаты для количественного повышения эффективности поиска и выделения залежей углеводородов на основе использования электромагнитных волн. Даны рекомендации по разработке методов поиска углеводородных залежей. Разработаны методы поиска залежей углеводородов, основанные на использовании оптимальных соотношений частот электромагнитных волн. В статье представлены результаты определения глубины залегания углеводородных залежей. Результаты исследований могут быть использованы в области геофизики, радиолокации, электроники. Description: Reflection of Electromagnetic Waves of Layer Environments / O. Orlova, Y. Shchadenkov, V. Yanushkevich 2011-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/432 Title: Упрочнение кремния вблизи границы раздела SiO[2]/Si Authors: Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Просолович, В. С.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Петлицкий, А. Н. Abstract: Методом микроиндентирования исследовано влияние окисла на прочностные характеристики приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Экспериментально показано, что у границы раздела SiO2/Si существует упрочненный слой толщиной 0,2 – 0,4 мкм с микротвердостью 20 – 35 ГПа, которая в два-три раза превосходит величину микротвердости, характерную для объема монокристалла. Толщина и величина микротвердости указанного слоя зависят от условий выращивания окисла. Формирование этого слоя обусловлено, вероятнее всего, междоузельными атомами кремния, образующимися у границы раздела SiO2/Si при окислении кремния. Description: Silicon Yardening at the Sio2/Si Interface / D. Brinkevich, V. Petrov, V. Prosolovich, N. Vabishchevich, S. Vabishchevich, A. Petlitskiy 2011-01-01T00:00:00Z