DSpace Collection: https://elib.psu.by/handle/123456789/32389 2025-10-18T21:15:21Z Принципы организации и анализ подходов к повышению точности повторной идентификации людей в распределенных системах видеонаблюдения https://elib.psu.by/handle/123456789/32397 Title: Принципы организации и анализ подходов к повышению точности повторной идентификации людей в распределенных системах видеонаблюдения Authors: Игнатьева, С. А.; Ihnatsyeva, S. Abstract: Приведена классификация существующих систем повторной идентификации по таким критериям, как тип системы, количество и вид запросов, время работы. Рассмотрена общая схема, отражающая основной принцип работы систем повторной идентификации, а также основные подходы и методы для решения этой задачи с использованием сверточных нейронных сетей. Выполнено исследование существующих способов повышения точности работы алгоритмов и систем повторной идентификации. Проведен анализ влияния выбора гиперпараметров при обучении сверточных нейронных сетей на эффективность и динамику обучения алгоритма повторной идентификации. 2022-01-01T00:00:00Z Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии https://elib.psu.by/handle/123456789/32402 Title: Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии Authors: Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Vabishchevich, S.; Vabishchevich, N.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Kolos, V.; Zubova, O. Abstract: Исследованы адгезионные и прочностные свойства пленок фоторезиста (ФР) для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Установлено, что они ведут себя как хрупкие материалы. Микротвердость ФР, измеренная при малых нагрузках, составляла ~0,3 ГПа, слабо снижаясь при увеличении толщины пленки. Параметры трещиностойкости (коэффициент вязкости разрушения K1С и эффективная энергия разрушения γ) при малых нагрузках не зависят от толщины пленки. Скорость возрастания трещиностойкости при увеличении нагрузки зависела от толщины пленки и была большей для тонких пленок. Удельная энергия отслаивания G при нормальной нагрузке составляла ~1,2 Дж/м2 для толстых и ~0,7 Дж/м2 для тонких пленок. Более высокие значения G для толстых пленок обусловлены, вероятнее всего, компенсацией полей упругих напряжений, возникающих на границе раздела фоторезист/кремний. Проведено сравнение прочностных свойств фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4 и позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120. 2022-01-01T00:00:00Z Клиент-серверная система управления парковками на основе анализа данных систем видеонаблюдения https://elib.psu.by/handle/123456789/32399 Title: Клиент-серверная система управления парковками на основе анализа данных систем видеонаблюдения Authors: Ходосевич, А. В.; Богуш, Р. П.; Hodosevich, A.; Bohush, R. Abstract: Представлена веб-система для контроля и управления парковками на основе анализа изображений, формируемых видеокамерами наблюдения. Для сегментации парковочных мест разработан алгоритм, позволяющий автоматически определять координаты парковочных мест на кадрах видео с использованием адаптивного алгоритма бинаризации Оцу и алгоритма Хафа для обнаружения линий. Классификация парковочных мест по типу занятости выполняется с применением сверточной нейронной сети ResNet50. Приведены особенности реализации серверной части, описана разработанная диаграмма классов и их основное назначение. Клиентская часть системы представляет собой адаптивный веб-сайт, доступ к которому можно получить с помощью персонального компьютера или мобильного устройства. Показаны примеры основных функциональных возможностей программного обеспечения. 2022-01-01T00:00:00Z Влияние обратного пьезоэлектрическогои фотоупругого эффектов на указательную поверхность нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла BiTiO https://elib.psu.by/handle/123456789/32400 Title: Влияние обратного пьезоэлектрическогои фотоупругого эффектов на указательную поверхность нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла BiTiO Authors: Аманова, М. А.; Навныко, В. Н.; Шепелевич, В. В.; Amanova, M.; Naunyka, V.; Shepelevich, V. Abstract: Построена и проанализирована указательная поверхность нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости фоторефрактивного кристалла Bi12TiO20 класса симметрии 23. Определены экстремальные значения указательной поверхности нормальной составляющей для кристалла Bi12TiO20 с записанной фазовой голографической решеткой. Показано, что совместное действие фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов приводит к изменению максимальных и минимальных значений нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла с волновым вектором голографической решетки, ориентированным вдоль кристаллографического направления [112]. 2022-01-01T00:00:00Z