https://elib.psu.by/handle/123456789/12963 Thu, 19 Feb 2026 20:26:01 GMT 2026-02-19T20:26:01Z https://elib.psu.by/handle/123456789/12987 Title: Определение времени релаксации объемного электростатического заряда, вносимого в резервуары с поступающей диэлектрической углеводородной жидкостью Authors: Горовых, О. Г.; Оразбаев, А. Р. Abstract: Рассматриваются носители электростатического заряда, образующегося при движении диэлектрической углеводородной жидкости по трубопроводам. Показано, что носители такого электростатического заряда имеют разную природу, следовательно, и время релаксации каждого из видов носителей заряда различно. Предложено математическое выражение для определения времени релаксации всех видов носителей электростатического заряда, учитывающее величину вносимого в резервуар электростатического заряда, изменяющуюся величину поверхности контакта углеводородной жидкости со стенкой резервуара и конфигурацию резервуара. За время релаксации принято время, по истечении которого возникновение искры, необходимой для воспламенения паров паровоздушного пространства, исключается.= Carriers of the electrostatic charge which is formed at the movement of dielectric hydrocarbonic liquid on pipelines are considered. It is shown that as carriers of an electrostatic charge have the different nature, and time of a relaxation of each of types of carriers of a charge is different. The formula for definition of time of a relaxation of all types of carriers of an electrostatic charge considering the size of the electrostatic charge brought in the tank, the changing size of a surface of contact of hydrocarbonic liquid with a wall of the tank and a tank configuration is offered. As relaxation time is taken the time after which emergence of a spark necessary for ignition of vapors of steam-air space is excluded. Description: TIME SPECIFICATION OF VOLUME ELECTROSTATIC CHARGE RELAXATION BROUGHT IN TANKS WITH DIELECTRIC HYDROCARBONIC LIQUID O. GOROVICH, A. ORAZBAEV Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/12987 2015-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/12986 Title: Применение модулированных сигналов для поиска анизотропных сред плазмоподобного типа Authors: Янушкевич, В. Ф.; Калинцев, С. В.; Кременя, К. И.; Заяц, Е. Ю. Abstract: Рассматриваются вопросы применения модулированных сигналов для поиска анизотропных сред плазмоподобного типа. Приведены характеристики сред над углеводородными залежами. Особое внимание уделено анализу поправки Дебая в выражении для диэлектрической проницаемости среды. Проведен анализ взаимодействия электромагнитных волн с углеводородами в режимах амплитудно-, частотно- и амплитудно-частотно-модулированных сигналов. Для этих режимов исследованы компоненты тензора диэлектрической проницаемости среды. Используется вертикальная поляризация электромагнитных волн. Рассмотрен широкий диапазон используемых частот. Вариация характеристик зондирующих сигналов позволяет повысить информативность поиска.= The article describes the use of modulated signals to search for anisotropic media such as plasma. The characteristics of the media under hydrocarbon deposits. Particular attention is paid to the analysis of the amendments to the Debye expression for the dielectric constant of the medium. The analysis of the interaction of electromagnetic waves with hydrocarbons in the mode amplitude, and amplitude-particle-particle-simulated signals. For these modes, the research components of the dielectric tensor of the medium. Using vertically polarized electromagnetic waves. Consider the wide range of unused parts. Variation of characteristics of probing signals allows improve information search. Description: THE USE OF MODULATED SIGNALS TO SEARCH FOR THE PLASMA ANISOTROPIC MEDIA OF THIS TYPE V. YANUSHKEVICH, S. KALINCEV, K. KREMENYA, E. ZAYATS Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/12986 2015-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/12984 Title: Модификация приповерхностных слоев монокристаллов кремния имплантированных ионами В+ и Р+ в процессе создания полупроводниковых приборов по КМОП технологии Authors: Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. Abstract: Методами масс-спектрометрии вторичных ионов, измерений поверхностного сопротивления и микротвердости проведены исследования свойств приповерхностной (рабочей) области пластин моно-кристаллического кремния, имплантированных ионами бора и фосфора с целью формирования сильнолегированных «карманов» КМОП-структур. Обнаружено приповерхностное упрочнение монокристаллов при имплантации. Аморфизация имплантированной области кремния снижает микротвердость приповерхностного слоя. Быстрый термический отжиг приводит к разупрочнению приповерхностной области монокристалла кремния на глубине до 1 мкм и увеличению трещиностойкости (росту K1С и γ) при малых нагрузках. Полученные экспериментальные результаты объяснены с учетом генерации вакансий в процессе быстрого термического отжига.= Properties of the surface layers of monocrystalline silicon wafers implanted with boron and phosphorus to form a heavily doped “pockets” of CMOS structures was investigated by mass spectrometry of secondary ions, measuring the surface resistivity and microhardness. Near-surface hardening of single crystals during implantation was founded. Amorphization of the implanted region of silicon reduces the microhardness of the surface layer. Rapid thermal annealing leads to a softening of the surface layer of the of the silicon single crystal to a depth of 1 μm and an increase in fracture toughness (K1C and γ) at low loads. The experimental results are discussed in terms of the generation of vacances in the process of rapid thermal annealing. Description: MODIFICATION OF THE SURFACE LAYERS OF SILICON SINGLE CRYSTALS IMPLANTED WITH B+ AND P+ IONS AT THE CREATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY CMOS TECHNOLOGY D. BRINKEVICH, S. VABISHCHEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/12984 2015-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/12982 Title: Модификация структуры в имплантированных пленках полиимида за областью пробега ионов Authors: Лукашевич, М. Г. Abstract: В тонких (d = 40 мкм) пленках полиимида, имплантированных ионами Ni+, Mn+, Fe+, Co+, Ag+ и B+ с энергией 30…100 кэВ в интервале доз D = 1•1015…1,5•1017 см–2 при плотности ионного тока j = 4… 12 мкА/см2, изучены спектральные зависимости коэффициента отражения при падении света как на имплантированную, так и на неимплантированную поверхность. Обнаружено увеличение интегрального коэффициента отражения и увеличение интенсивности отражения при λ1 = 254 и λ2 = 311 нм и падении света на неимплантированную сторну, то есть далеко за пределами области внедрения ионов, обусловленное перестройкой структуры в приповерхностом слое полимерной матрицы. Модификация структуры полимера за пределами пробега имплантированных ионов связана с релаксацией в процессе имплантации упругих приповерхностных напряжений, возникающих при производстве пленки.= Thin (40 mm) films of polyimide have been implanted by Ni+, Mn+, Fe+, Co+, Ag+ и B+ ions with energy 30…100 keV in a dose range D = 1·1015…1,5·1017 см-2 at ions current density j = 4… 12 mА/см2. Reflectivity of non-implanted surface have been investigated in the wave length range 210…480 nm. Increasing of integral reflectivity coefficient and reflection intensity at λ1 = 254 and λ2 = 311 nm were observed because of elastic exertion relaksation of polyimide structure in near-surface region during implantation beyond ions projected range. Description: MODIFICATION OF POLYIMIDE FILMS STRUCTURE BEYOND THE PROJECTED RANGE AT ION IMPLANTATION. M. LUKASHEVICH. = МОДИФИКАЦИЯ СТРУКТУРЫ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ ПОЛИИМИДА ЗА ОБЛАСТЬЮПРОБЕГА ИОНОВ. д-р физ.-мат. наук, доц. М.Г. ЛУКАШЕВИЧ. (Белорусский государственный университет, Минск) Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/12982 2015-01-01T00:00:00Z