https://elib.psu.by/handle/123456789/48490 Mon, 12 Jan 2026 07:37:49 GMT 2026-01-12T07:37:49Z https://elib.psu.by/handle/123456789/48494 Title: Физико-механические свойства пленок негативных фоторезистов KMP E3502 на кремнии Authors: Вабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Зубова, О. А.; Вабищевич, Н. В.; Vabishchevich, S.; Brinkevich, D.; Prosolovich, V.; Brinkevich, S.; Zubova, O.; Vabishchevich, N. Abstract: Методом индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) KMP E3502 толщи-ной 2,6–5,8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Экспериментально установлено, что прочностные и адгезионные свойства пленок KMP E3502 сопоставимы с ана-логичными характеристиками ФР серии AZ nLOF 20XX. Коэффициент вязкости разрушения К1С пленок КМР Е3502 возрастает при увеличении нагрузки. Ни дополнительное усиление, ни ионное травление не оказывали существенного влияния на их трещиностойкость. Адгезия (удельная энергия отслаивания G) тонких пленок в три раза ниже по сравнению с толстыми пленками КМР Е3502. Значения G толстой пленки КМР Е3502 близки к величине G исходной пленки AZ nLOF 2070. Дополнительное усиление и ионное травление не оказы-вали существенного влияния на адгезию фоторезистивной пленки КМР Е3502 к кремниевой подложке. Истинная микротвердость тонких пленок КМР Е3502 составляла 0,3 ГПа, что примерно в два раза выше микротвердости у функционально аналогичных пленок AZ nLOF 5510. После стабилизирующей обработки и ионного травления она увеличивалась, что обусловлено сшиванием молекул фоторезиста. В толстых плен-ках КМР Е3502 микротвердость возрастала по мере удаления от поверхности пленки и при приближении к границе раздела фоторезист/кремний стабилизировалась на уровне ~ 0,55 ГПа. Такое поведение микро-твердости обусловлено неравномерным прогревом пленки при сушке в процессе ее формирования, поскольку нагрев осуществлялся со стороны подложки. Полученные экспериментальные данные объяснены с учетом упорядочения структуры фоторезистивной пленки вблизи границы раздела ФР/кремний вследствие ориентации молекул и конформационных изменений в структуре основного компонента фоторезиста – фенолформальдегидной смолы. Радиационно-стимулированные процессы, протекающие при травлении пле-нок КМР Е3502 ионами Ar обусловлены формированием ковалентных сшивок между молекулами полимера, которые способствуют упрочнению пленки. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/48494 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/48496 Title: Методы температурной компенсации напряжения электрического пробоя шумовых диодов Authors: Латий, О. О.; Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Емельянов, В. А.; Кочергина, О. В.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Latiy, O.; Buslyuk, V.; Derechennik, S.; Yemelyanov, V.; Kochergina, О.; Odzhaev, V.; Prosolovich, V.; Yankovski, Yu. Abstract: Исследованы методы компенсации изменений электрических характеристик дискретных полупро-водниковых шумовых диодов, а также выпрямляющих контактов p-n-переходов и переходов металл–полупроводник в условиях изменяющейся температуры. На основании экспериментальных исследований электрофизических характеристик диодов-генераторов шума и проведенного моделирования структуры, состоящей из диода-генератора шума, включенного в обратном направлении, и компенсирующего диода, включенного в прямом направлении, предложен метод стабилизации напряжения микроплазменного пробоя шумовых диодов серии ND производства холдинга «Интеграл», Республика Беларусь. Установлено, что для данных шумовых диодов зависимость напряжения микроплазменного пробоя от температуры в диапазоне 24-125 °C имеет характер, близкий к линейному. Это позволяет произвести температурную компенсацию напряжения пробоя шумового диода, последовательно соединив его с прямо включенным диодом Шоттки, что ранее не практиковалось в связи с узким диапазоном токов микроплазменного пробоя. Пока-зано, что степень термокомпенсации, характеризующаяся величиной углового коэффициента линейной аппроксимации зависимости напряжения пробоя от температуры, зависит от электрофизических пара-метров диода-генератора шума и компенсирующего диода. При термокомпенсации напряжения пробоя дискретным диодом Шоттки получено снижение граничной частоты шума при нормальных климатических условиях на 40 %, однако при температуре 125 °С граничная частота термокомпенсированного шумового диода увеличивается более чем в 2 раза и достигает значений, характерных для диодов-генераторов шума ND103L. Результаты исследований позволяют сделать вывод о наличии конструктивно-тех-нологических возможностей расширения температурного диапазона эксплуатации шумовых диодов в ре-жиме микроплазменного пробоя. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/48496 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/48497 Title: P-i-n-фотодиоды с геттерами, созданными ионной имплантацией основных легирующих примесей Authors: Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.; Вабищевич, Н. В.; Odzhaev, V.; Pyatlitski, A.; Prasalovich, V.; Shestovsky, D.; Yavid, V.; Yankovski, Yu.; Ismaylov, B.; Kenzhaev, Z.; Vabishchevich, N. Abstract: Исследованы вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сформированные имплантацией ионов бора или сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления при- боров за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после фор- мирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Это обусловлено, с одной стороны, геттерированием технологических примесей, которые создают глубокие генерационно- рекомбинационные центры и определяют величину обратного темнового тока p-i-n-фотодиодов. С другой стороны, существенное влияние на величину напряжения пробоя и предпробойный участок вольт-амперной характеристики оказывают процессы дефектно-примесного взаимодействия между радиационными и пост- технологическими дефектами типа дислокаций, микродефектов и т. п. Наличие на вольт-амперных характеристиках p-i-n-фотодиодов ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и техно- логических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/48497 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.psu.by/handle/123456789/48498 Title: Оптические свойства облученных γ-квантами 60Со структур DLC/полиимид Authors: Харченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Зур, И. А.; Федотова, Ю. А.; Шманай, Е. Е.; Мицкевич, Е. Д.; Бринкевич, С. Д.; Вабищевич, С. А.; Бурый, Е. Д.; Ластовский, С. Б.; Kharchanka, A.; Brinkevich, D.; Zur, I.; Fedotova, J.; Shmanay, Y.; Mitskevich, Y.; Brinkevich, S.; Vabishchevich, S.; Buryi, Е.; Lastovskii, S. Abstract: Методами оптической спектроскопии исследованы облученные γ-квантами 60Со дозой до 1 МГр структуры DLC/полиимид, сформированные методом сильноточного импульсного магнетронного распыления графита марки ГЛ-1. Мощность поглощенной дозы составляла 0,12 Гр/с. Экспериментально уста-новлено увеличение пропускания вблизи края поглощения полиимидной пленки и структур DLC/полиимид в процессе облучения γ--квантами. Указанный эффект более выражен в структурах DLC/полиимид и обусловлен как распадом метастабильных «ростовых» дефектов полиимидной основы, так и перестройкой DLC-покрытия. Обнаружено изменение спектров отражения DLC-покрытия при γ--облучении, что про-является в уменьшении коэффициента отражения с ростом дозы облучения. При дозе облучения 1 МГр в диапазоне длин волн от 200 до 300 нм наблюдалось снижение коэффициента отражения с ростом длины волны, в то время как в исходных (необлученных) структурах в указанном диапазоне наблюдался рост коэффициента отражения. Вероятнее всего, это связано с перестройкой структуры DLC в процессе облучения, что согласуется с изменением величины γ-γ-d. Показано, что оптическая спектроскопия является эффективным методом для обнаружения тонких пленок DLC при невозможности наблюдения таких по-крытий другими методами. Обнаружено ослабление адгезии DLC-покрытия к полиимидной подложке, вплоть до его отслоения при дозе 1 Мгр. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.psu.by/handle/123456789/48498 2025-01-01T00:00:00Z