Прочностные свойства структур фоторезист ФП9120 - кремний

Abstract

Методами атомно-силовой микроскопии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,0…5,0 мкм, нанесенные на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Показано, что шероховатость пленки фоторезиста варьируется в пределах 0,18…0,30 нм, резко возрастая при толщине пленки ~ 5 мкм, что обусловлено, вероятнее всего, формированием толстых слоев в две стадии. Зона разрушения у отпечатка индентора возрастает по мере приближения индентора к границе раздела фоторезист – кремний и при пересечении этой границы выходит на стационарное значение. Средний диаметр зоны разрушения возрастает при увеличении толщины фоторезистивной пленки.= Films of the FP9120 positive photoresist thickness of 1,0…5,0 microns deposited on silicon wafers by spin coating was investigated by the atomic force microscopy and indentation. It has been shown that the roughness of the photoresist film was ranged at 0,18 to 0,30 nm, increasing sharply when the film thickness ~ 5 microns, due likely to the formation of thick layers in two stages. Zone destructive indentation increases as the indenter to the interface silicon and photoresist – crossing this boundary reaches a steady state value. the average diameter of the zone of destruction increases with the thickness of the photoresist film.