Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.-
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.-
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2015. - № 12. - C. 67-71.ru_RU
dc.description.abstractМетодами индентирования и склерометрии исследованы прочностные свойства структур фо- торезист-кремний. Пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1,0–5,0 мкм наносились на пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Установлено, что микротвердость, определяемая методом склерометрии, на 20–40 % больше микротвердости, полученной методом мик- роиндентирования. При использовании нагрузки, равной 1–2 г, более точные значения микротвердости измерены методом склерометрии. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанного различий – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают.= The strength properties of the structures of the photoresist-silicon was investigated by indenting and scratching methods. Film positive photoresist with thickness of 1.0–5.0 μm was deposited on silicon wafers of various brands by the centrifugation method. It was found that the microhardness as determined by sclerometer, 20–40 % more than microhardness obtained by the microindentation methods. When using the load, which equals 1–2 g, more accurate values of microhardness gives the scratching method. Increasing the load to 10 or more grams leads to a leveling of the specified differences – values of microhardness obtained by both methods coincide.ru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия C, Фундаментальные науки;2015. - № 12-
dc.subjectCубмикронная литографияru_RU
dc.subjectИзмерение микротвердостиru_RU
dc.subjectметод склерометрииru_RU
dc.titleИсследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрииru_RU
dc.title.alternativeStudy of Strength Properties of Photoresist Films on Silicon by the Scratching Methodru_RU
dc.identifier.udc621.315.592: 546.28-
Appears in Collections:2015, № 12

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
67-71.pdf237.04 kBAdobe PDFThumbnail

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.