Модель процесса осаждения тонких пленок магнетронным распылением

Abstract

Предложена математическая модель, позволяющая рассчитывать формирование тонкопленочных покрытий при магнетронном распылении материалов и объединяющая математическое описание магнитных полей ионно-плазменных устройств, движения электронов и распыляемого вещества в электромагнитном поле, конденсации его на подложке. Модель применима для анализа и проектирования осесимметричных магнетронных распылительных систем. Магнитное поле магнетронной распылительной системы, его форма, распределение, магнитная индукция оказывают влияние на характеристики магнетронного разряда, на коэффициент распыления мишени. Если известно распределение магнитного поля магнетрона, то можно заранее определить его рабочие характеристики и, как результат, получить магнетронную распылительную систему с требуемыми параметрами и разрядными характеристиками.