Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники. Автореферат диссертации

Abstract

Предложено использование частично замещенных алкоголятов титана для формирования пленок TiO2 термообработкой пленкообразующих растворов. Установлено, что при импульсном отжиге за время 1 – 10 с происходит формирование слоя диоксида титана с равномерным распределением элементов по толщине, который может быть применен в качестве буферного покрытия при формировании микроэлектронных компонентов. Изучен процесс термолиза TiCl2(OC2H5)2 и TiCl2(OC4H9)2 в широком температурном диапазоне. Сделан вывод о большей термической устойчивости дихлородибутилата титана. Показана возможность использования химической модели адгезии для расчета поверхностной энергии диоксида титана на различных подложках. Это позволяет расположить исследованные структуры по убывающей прочности сцепления в следующий ряд: TiO2-Si; TiO2- Fe; TiO2-Cr; TiO2-Ni. Установлено, что восстановление в токе водорода легированного металлами диоксида титана (в количестве 1 – 10 ат. %) приводит к созданию материала, имеющего величину и характер температурной зависимости удельного объемного электрического сопротивления, характерную для полупроводников.