Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/32402Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Колос, В. В. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Vabishchevich, S. | - |
| dc.contributor.author | Vabishchevich, N. | - |
| dc.contributor.author | Brinkevich, D. | - |
| dc.contributor.author | Prosolovich, V. | - |
| dc.contributor.author | Kolos, V. | - |
| dc.contributor.author | Zubova, O. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-06-28T12:24:52Z | - |
| dc.date.available | 2022-06-28T12:24:52Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Вабищевич, С. А. Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Колос, О. А. Зубова // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2022. - № 4. - С. 49-55. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/32402 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы адгезионные и прочностные свойства пленок фоторезиста (ФР) для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Установлено, что они ведут себя как хрупкие материалы. Микротвердость ФР, измеренная при малых нагрузках, составляла ~0,3 ГПа, слабо снижаясь при увеличении толщины пленки. Параметры трещиностойкости (коэффициент вязкости разрушения K1С и эффективная энергия разрушения γ) при малых нагрузках не зависят от толщины пленки. Скорость возрастания трещиностойкости при увеличении нагрузки зависела от толщины пленки и была большей для тонких пленок. Удельная энергия отслаивания G при нормальной нагрузке составляла ~1,2 Дж/м2 для толстых и ~0,7 Дж/м2 для тонких пленок. Более высокие значения G для толстых пленок обусловлены, вероятнее всего, компенсацией полей упругих напряжений, возникающих на границе раздела фоторезист/кремний. Проведено сравнение прочностных свойств фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4 и позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120. | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
| dc.relation.ispartof | Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукі | be_BE |
| dc.relation.ispartof | Herald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciences | en_EN |
| dc.relation.ispartof | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки | ru_RU |
| dc.rights | open access | ru_RU |
| dc.title | Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Strength Properties of Photoresists for Explosive Lithography | - |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.description.alternative | The adhesion and strength properties of NFR 016b4 photoresist (PR) films for explosive lithography deposited on the surface of KDB-10 single-crystal silicon wafers by centrifugation have been studied. It has been found that they behave like brittle materials. The FR microhardness measured at low loads was ~0,3 GPa, decreasing slightly with increasing film thickness. The crack resistance parameters (fracture toughness coefficient K1С and effective fracture energy γ) at low loads do not depend on the film thickness. With increasing load, the crack resistance of a thin film increased faster than that of a thick one. The specific peeling energy G under normal loading was ~1,2 J/m2 for thick and ~0,7 J/m2 for thin films. The higher values of G for thick films are most likely due to the compensation of elastic stress fields arising at the photoresist/silicon interface. The strength properties of NFR016b4 explosive lithography photoresist and FP9120 positive diazoquinone-novolac photoresist are compared. | - |
| dc.citation.spage | 49 | ru_RU |
| dc.citation.epage | 55 | ru_RU |
| dc.identifier.doi | 10.52928/2070-1624-2022-38-4-49-55 | - |
| Appears in Collections: | 2022, № 4 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.