Формирование рисунка в пленке нитрида кремния

Abstract

Формирование рисунка в пленке нитрида кремния включает нанесение на полупроводниковую подложку с топологическими элементами пленок диоксида кремния и нитрида кремния химическим осаждением из парогазовой фазы, фоторезистивной маски методом стандартной фотолитографии, реактивно-ионное травление нитрида кремния во фторсодержащей плазме и удаление фоторезистивной маски. Для повышения селективность травления нитрида кремния по отношению к диоксиду, предотвращения микротренчей и повышения качества фотолитографического рисунка после формирования пленки нитрида кремния проводят обработку пленки 1−5 импульсами ближнего инфракрасного излучения длительностью от 0,05 до 0,5 с при интенсивности от 0,2 до 1,0 Дж/см2.= The formation of a pattern in a silicon nitride film includes the application of a silicon dioxide film, a silicon nitride film by chemical vapor deposition from a vapor phase, a photoresistive mask by the method of standard photolithography, reactive-ion etching of silicon nitride in a fluorine-containing plasma, and the removal of a photoresistive mask on a semiconductor substrate with topological elements. To increase the selectivity of silicon nitride etching with respect to dioxide, prevent microtrenching and improve the quality of the photolithographic pattern after the formation of a silicon nitride film, the film is treated with 1–5 pulses of near infrared radiation with a duration of 0,05 to 0,5 s at an intensity of 0,2 to 1,0 J/cm2.