Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/38070Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Чугунов, С. В. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Чугунов, А. С. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Чугунова, Э. В. | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-02-22T08:31:31Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-22T08:31:31Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Чугунов, С. В. Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора / С. В. Чугунов, А. С. Чугунов, Э. В. Чугунова // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей I Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 27–28 окт. 2022 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2023. – С. 80-86. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/38070 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе мы предлагаем рассмотреть результаты моделирования нитридного гетеро-переходного полевого транзистора (ГПТ) или HEMT-транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, реализованную в модуле Semiconductor Module программного продукта COMSOL Multiphysics. Для этого мы использовали мультифизический интерфейс уравнения Шредингера-Пуассона, который позволяет моделировать все возможные системы с квантово-ограниченными носителями заряда, такими как квантовые ямы, провода и точки. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой | ru_RU |
| dc.title | Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.citation.spage | 80 | ru_RU |
| dc.citation.epage | 86 | ru_RU |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2023 | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.