Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/38070
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЧугунов, С. В.ru_RU
dc.contributor.authorЧугунов, А. С.ru_RU
dc.contributor.authorЧугунова, Э. В.ru_RU
dc.date.accessioned2023-02-22T08:31:31Z-
dc.date.available2023-02-22T08:31:31Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationЧугунов, С. В. Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора / С. В. Чугунов, А. С. Чугунов, Э. В. Чугунова // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики [Электронный ресурс] : электронный сборник статей I Международной научно-практической конференции, Новополоцк, 27–28 окт. 2022 г. / Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой. – Новополоцк, 2023. – С. 80-86.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/38070-
dc.description.abstractВ данной работе мы предлагаем рассмотреть результаты моделирования нитридного гетеро-переходного полевого транзистора (ГПТ) или HEMT-транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, реализованную в модуле Semiconductor Module программного продукта COMSOL Multiphysics. Для этого мы использовали мультифизический интерфейс уравнения Шредингера-Пуассона, который позволяет моделировать все возможные системы с квантово-ограниченными носителями заряда, такими как квантовые ямы, провода и точки.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.titleМоделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистораru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.citation.spage80ru_RU
dc.citation.epage86ru_RU
Располагается в коллекциях:Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики. 2023

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
80-86.pdf1.25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.