1. Репозиторий Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  2. Периодические издания Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  3. Серия C. Фундаментальные науки. ISSN 2710-4230 (Online)
  4. 2023, № 1 (40)
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/38455
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.ru_RU
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.ru_RU
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.ru_RU
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru_RU
dc.contributor.authorVabishchevich, S.en_EN
dc.contributor.authorVabishchevich, N.en_EN
dc.contributor.authorBrinkevich, D.en_EN
dc.contributor.authorProsolovich, V.en_EN
dc.date.accessioned2023-05-13T08:06:30Z-
dc.date.available2023-05-13T08:06:30Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationВабищевич, С. А. Индентирование облученных электронами пленок диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 1 (40). - С. 29-37. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-40-1-29-37.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/38455-
dc.description.abstractМетодом индентирования изучены прочностные свойства облученных электронами с энергией 5 МэВ флюенсом 3?1016 см-2 пленок диазохинон-новолачных фоторезистов ФП9120, SPR 700 и S1813 G2 SP15 на кремнии. Опечатки микроиндентора в пленках диазахинон-новолачных фоторезистов имеют бочковидную форму, что свидетельствует о наличии растягивающих напряжений, формирующихся при сушке пленки. Вокруг отпечатков индентора наблюдалась картина разрушений с радиальными и боковыми трещинами в виде «бабочек». Установлено, что при длительном хранении и облучении пленок диазохинон-новолачных фоторезистов имеет место увеличение значений истинной микротвердости пленок, которое обусловлено сшиванием макромолекул новолака в объеме полимера.ru_RU
dc.language.isoruru
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.rightsopen accessru_RU
dc.titleИндентирование облученных электронами пленок диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнииru_RU
dc.title.alternativeIndentation of Electron-Irrauded Films of Diazoquinone Novolac Photoresists on Siliconeru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.citation.spage29ru_RU
dc.citation.epage37ru_RU
dc.identifier.doi10.52928/2070-1624-2023-40-1-29-37-
local.description.annotationThe strength properties of FP9120, SPR 700 and S1813 G2 SP15 diazoquinone novolac photoresist films on silicon irradiated by 5 MeV electrons with a fluence of 3 1016 cm-2 were studied by indentation. Misprints of the microindenter in films of diazaquinone novolac photoresist are barrel-shaped, which indicates the presence of tensile stresses that form during film drying. A destruction zone with radial and lateral cracks was observed around the indenter prints, forming a pattern in the form of "butterflies". It has been established that during longterm storage and irradiation of films of diazoquinone novolac photoresists, an increase in the values of the true microhardness of the films takes place, which is due to the cross-linking of novolac macromolecules in the bulk of the polymer.ru_RU
Appears in Collections:2023, № 1 (40)

Files in This Item:
File SizeFormat 
29-37.pdf790.8 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Recommend this item Google Scholar


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.