Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора

Abstract

В работе исследовано влияние ионной имплантации на удельную энергию отслаивания пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния. Установлено, что при имплантации ионов бора и фосфора на границе раздела фоторезист–кремний происходит образование сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты, привитой к полимеру, что приводит к увеличению удельной энергии отслаивания G-пленки от подложки. Указанный эффект наблюдается далеко за пределом области пробега ионов и более выражен при внедрении ионов фосфора.