Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/40092Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Vabishchevich, S. | en_EN |
| dc.contributor.author | Vabishchevich, N. | en_EN |
| dc.contributor.author | Brinkevich, D. | en_EN |
| dc.contributor.author | Prosolovich, V. | en_EN |
| dc.date.accessioned | 2023-11-15T13:09:47Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-15T13:09:47Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Вабищевич, С. А. Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 2 (41). - С. 42-47. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/40092 | - |
| dc.description.abstract | Методом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5*1016 – 1,0*1017 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5?1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой | ru_RU |
| dc.rights | open access | |
| dc.title | Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра | ru_RU |
| dc.title.alternative | Films of Positive Diazoquinone-Novolac Photoresist Fp9120 Implanted with Silver Ions | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.citation.spage | 42 | ru_RU |
| dc.citation.epage | 47 | ru_RU |
| dc.identifier.doi | 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47 | |
| local.description.annotation | Films of positive diazoquinone-novolac photoresist FP9120 1,8 ?m thick, implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2,5?1016 – 1,0?1017 cm–2, were studied by indentation using an ILU-3 implanter. It has been established that a freshly prepared film of the positive photoresist FP9120 on silicon exhibits elastic-plastic properties and, after its indentation, an elastic recovery of the imprint is observed. The carbonized layer formed during ion implantation of Ag+ with doses above 2,5?1016 cm–2 suppresses the effect of imprint restoration during indentation. After long-term storage (more than 3 years), the film changes its strength properties and behaves like a solid (non-plastic) body. This is due to the cross-linking of phenol-formaldehyde resin molecules, which reduces the mobility of molecules under external influence. A continuous diamond-like carbonized layer formed in the range of ions. when implanted with Ag+ ions, it contributes to an increase in the values of the true microhardness of the photoresistive film after long-term storage. | ru_RU |
| Appears in Collections: | 2023, № 2 (41) | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.