1. Репозиторий Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  2. Периодические издания Полоцкого государственного университета имени Евфросинии Полоцкой
  3. Серия C. Фундаментальные науки. ISSN 2710-4230 (Online)
  4. 2023, № 2 (41)
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/40092
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.ru_RU
dc.contributor.authorВабищевич, Н. В.ru_RU
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.ru_RU
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru_RU
dc.contributor.authorVabishchevich, S.en_EN
dc.contributor.authorVabishchevich, N.en_EN
dc.contributor.authorBrinkevich, D.en_EN
dc.contributor.authorProsolovich, V.en_EN
dc.date.accessioned2023-11-15T13:09:47Z-
dc.date.available2023-11-15T13:09:47Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationВабищевич, С. А. Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 2 (41). - С. 42-47. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/40092-
dc.description.abstractМетодом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5*1016 – 1,0*1017 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5?1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения.ru_RU
dc.language.isoruru
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.rightsopen access
dc.titleПленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебраru_RU
dc.title.alternativeFilms of Positive Diazoquinone-Novolac Photoresist Fp9120 Implanted with Silver Ionsru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.citation.spage42ru_RU
dc.citation.epage47ru_RU
dc.identifier.doi10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47
local.description.annotationFilms of positive diazoquinone-novolac photoresist FP9120 1,8 ?m thick, implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2,5?1016 – 1,0?1017 cm–2, were studied by indentation using an ILU-3 implanter. It has been established that a freshly prepared film of the positive photoresist FP9120 on silicon exhibits elastic-plastic properties and, after its indentation, an elastic recovery of the imprint is observed. The carbonized layer formed during ion implantation of Ag+ with doses above 2,5?1016 cm–2 suppresses the effect of imprint restoration during indentation. After long-term storage (more than 3 years), the film changes its strength properties and behaves like a solid (non-plastic) body. This is due to the cross-linking of phenol-formaldehyde resin molecules, which reduces the mobility of molecules under external influence. A continuous diamond-like carbonized layer formed in the range of ions. when implanted with Ag+ ions, it contributes to an increase in the values of the true microhardness of the photoresistive film after long-term storage.ru_RU
Располагается в коллекциях:2023, № 2 (41)

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
42-47.pdf468.14 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Порекомендовать ресурс Google Scholar


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.