Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/40095Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Зайцев, В. А. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Мельникова, В. В. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Подрябинкин, Д. А. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Zaitsau, U. | en_EN |
| dc.contributor.author | Melnikova, V. | en_EN |
| dc.contributor.author | Podryabinkin, D. | en_EN |
| dc.contributor.author | Danilyuk, A. | en_EN |
| dc.date.accessioned | 2023-11-15T13:09:47Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-15T13:09:47Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Зайцев, В. А. Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования / В. А. Зайцев, В. В. Мельникова, Д. А. Подрябинкин, А. Л. Данилюк // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 2 (41). - С. 63-68. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-41-2-63-68 | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/40095 | - |
| dc.description.abstract | Представлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре. Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микрои наноэлектроники. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой | ru_RU |
| dc.rights | open access | |
| dc.title | Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования | ru_RU |
| dc.title.alternative | Electrophysical Parameters Interrelation Model for Cad Systems | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.citation.spage | 63 | ru_RU |
| dc.citation.epage | 68 | ru_RU |
| dc.identifier.doi | 10.52928/2070-1624-2023-41-2-63-68 | |
| local.description.annotation | A model is presented and regularities are established for the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure and a two-dimensional channel, based on the self-consistency of the electrochemical potential and the concentration of charge carriers of a two-dimensional channel in a field-effect transistor structure. Such self-consistency is ensured by combining the Fermi – Dirac statistics with the condition of electrical neutrality of the transistor structure. The effect on the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel is considered for the band gap of the channel material, the capacitance of the gate dielectric, and the capacitance of interface states. The developed model of the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional channel can be used in computeraided design systems for the element base of micro- and nanoelectronics. | ru_RU |
| Appears in Collections: | 2023, № 2 (41) | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.