Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/45
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Бордусов, С. В. | ru |
dc.contributor.author | Мадвейко, С. И. | ru |
dc.date.accessioned | 2013-08-09T12:58:11Z | - |
dc.date.available | 2013-08-09T12:58:11Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ, 2012.- № 4. - С. 62-69. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/45 | - |
dc.description | INVESTIGATION OF THE MICROWAVE ENERGY PENETRATION IN GAS DISCHARGE PLASMA / S. BODRUSOV, S. MADVEIKO / The investigation of the penetration of the microwave energy (f = 2,45 ± 0,05 GHz) in the center of the oxygen gas discharge in the plasmatron of the resonant type was carried out on example of microwave plasma chemical processing of silicon plates. The investigation was performed by three independent methods: using a thermocouple were investigated temperature characteristics of the microwave discharge; according to data of the «active probe» which was injected in the volume of discharge chamber; using an electric probe which was placed in the volume of plasma for measuring the electrical conductivity of the space. The experi-mental results indicate that for the levels of microwave power flux density in the discharge volume in the range of 0.06…0.08 W/cm3 the microwave field is entered in the volume of the discharge zone. This effect must be taken into account when organizing the processes of plasma-chemical treatment (the effect of microwave field on the parameters of the processed structures, «loading effect», the design a system for supplying microwave energy to the treatment area, forms and character of distribution of the microwave field in the gas discharge area, etc.) and for analysis results of processing of materials and semiconductor structures which may be exposed to microwave energy. | en_US |
dc.description.abstract | Изучение вопроса о проникновении СВЧ-волны (f =2,45 ± 0,05 ГГц) в центр возбуждаемого ею газо-вого разряда в кислороде в плазмотроне, построенном на базе резонатора прямоугольного типа, проводи-лось применительно к задаче СВЧ-плазмохимической обработки кремниевых пластин. Исследование вы-полнялось тремя независимыми методами: с использованием термопар; по данным показаний введенного в разряд «активного зонда»; измерением электрическими зондами электропроводности пространства, изо-лированного от плазменного объема. Результаты проведенных экспериментов указывают на то, что при уровнях плотности потока СВЧ-мощности в разрядном объеме порядка 0,06…0,08 Вт/см3 происходит проникновение СВЧ-поля в объем зоны разряда. Этот эффект необходимо учитывать при организации процессов плазмохимической обработки (влияние СВЧ-поля на параметры обрабатываемых структур, «загрузочный» эффект, проектирование распределенной системы подвода СВЧ-энергии к зоне обработки, формирующуюся определенную структуру распределения СВЧ-поля в зоне плазмообразования и т.д.) и анализе результатов обработки материалов и структур, подверженных воздействию СВЧ-энергии. | ru |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
dc.relation.ispartof | Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукі | be_BE |
dc.relation.ispartof | Herald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciences | en_EN |
dc.relation.ispartof | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | Серия C, Фундаментальные науки;2012.- № 4. | ru |
dc.rights | open access | ru_RU |
dc.subject | Физика | ru |
dc.subject | Электронные и ионные явления | ru |
dc.subject | Физика плазмы | ru |
dc.title | Исследование характеристик прохождения энергии СВЧ-поля в плазму возбуждаемого разряда | ru |
dc.type | Article | ru_RU |
Appears in Collections: | 2012, № 4 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.