Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/46
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТелеш, Е. В.ru
dc.contributor.authorКасинский, Н. К.ru
dc.contributor.authorТомаль, В. С.ru
dc.date.accessioned2013-08-09T13:04:55Z-
dc.date.available2013-08-09T13:04:55Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки.- Новополоцк: ПГУ, 2012.- № 4. - С. 70-76.ru
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/46-
dc.descriptionCOATINGS FORMATION BY ION BEAM SPUTTERING OF DIELECTRIC TARGETS / E. TELESH, N. KASINSKY, V. TOMAL / Features of a sputtering of dielectric targets by beams of the accelerated ions are viewed. It is shown, that an accelerating voltage on the anode, a discharge current, power of discharge and a compensator cur-rent – the major factors influencing deposition rate of films. The magnification of a discharge current result ins to decrease in breakdown strength and inductivity magnification. It is positioned, that the compensator current inappreciablly influences quantity of inductivity, at the same time loss angle essentially depends on this current. The magnification of a current of the compensator and pinch of energy of sputtering ions cause magnification of breakdown strength of films. The received coats have shown a high transparency in visible and short-range infrared bands that testifies to high density of their structure. Modes of the ion source for reception of films with the best parametres are spotted.en_US
dc.description.abstractРассмотрены особенности распыления диэлектрических мишеней пучками ускоренных ионов. Показано, что ускоряющее напряжение на аноде, ток разряда, мощность разряда и ток компенсатора – основные факторы, влияющие на скорость нанесения пленок. Увеличение разрядного тока приводит к снижению электрической прочности и увеличению диэлектрической проницаемости. Установлено, что ток компенсатора незначительно влияет на величину диэлектрической проницаемости, в то же время тангенс угла диэлектрических потерь существенно зависит от этого тока. Увеличение тока компенсатора и повышение энергии распыляющих ионов вызывают увеличение электрической прочности пленок. Полученные по-крытия показали высокую прозрачность в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах, что свидетельствует о высокой плотности их структуры. Определены режимы ионного источника для получения пленок с наилучшими параметрами.ru
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.relation.ispartofВеснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя C, Фундаментальныя навукіbe_BE
dc.relation.ispartofHerald of Polotsk State University. Series C, Fundamental sciencesen_EN
dc.relation.ispartofВестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные наукиru_RU
dc.relation.ispartofseriesСерия C, Фундаментальные науки;2012.- № 4.ru
dc.rightsopen accessru_RU
dc.subjectРадиоэлектроникаru
dc.subjectПолупроводниковые приборыru
dc.titleФормирование покрытий ионно-лучевым распылением диэлектрических мишенейru
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:2012, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
70-76.pdf431.05 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.