Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/48497| Title: | P-i-n-фотодиоды с геттерами, созданными ионной имплантацией основных легирующих примесей |
| Authors: | Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. Исмайлов, Б. К. Кенжаев, З. Т. Вабищевич, Н. В. Odzhaev, V. Pyatlitski, A. Prasalovich, V. Shestovsky, D. Yavid, V. Yankovski, Yu. Ismaylov, B. Kenzhaev, Z. Vabishchevich, N. |
| Other Titles: | P-I-N Photodiodes With Getters Created By Ion Implantation of Main Doping Impurities |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | P-i-n-фотодиоды с геттерами, созданными ионной имплантацией основных легирующих примесей / О. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, Д. В. Шестовский [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2025. - № 2 (45). - С. 50-57. - DOI: 10.52928/2070-1624-2025-45-2-50-57 |
| Abstract: | Исследованы вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сформированные имплантацией ионов бора или сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления при- боров за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после фор- мирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Это обусловлено, с одной стороны, геттерированием технологических примесей, которые создают глубокие генерационно- рекомбинационные центры и определяют величину обратного темнового тока p-i-n-фотодиодов. С другой стороны, существенное влияние на величину напряжения пробоя и предпробойный участок вольт-амперной характеристики оказывают процессы дефектно-примесного взаимодействия между радиационными и пост- технологическими дефектами типа дислокаций, микродефектов и т. п. Наличие на вольт-амперных характеристиках p-i-n-фотодиодов ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и техно- логических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов. |
| metadata.local.description.annotation: | The current-voltage characteristics of p-i-n photodiodes containing getters formed by implantation of bo-ron or antimony ions on the back side of a silicon wafer were investigated. In parallel, control samples that passed all stages of the technological process of device manufacturing except for the implantation of impurities into the non-planar side of the wafer were investigated. It was shown that after the getter formation, the electrophysical parame-ters of the devices depend significantly on both the type of implanted ions and the modes of subsequent precipita-tion and diffusion annealing. This is due, on the one hand, to the gettering of technological impurities that create deep generation-recombination centers that determine the magnitude of the reverse dark current of p-i-n photodi-odes. On the other hand, processes of defect-impurity interaction between radiation and post-technological defects such as dislocations, microdefects, etc. have a significant effect on the value of the breakdown voltage and the pre-breakdown section of the current-voltage characteristic. The presence of stepped sections on the current-voltage characteristics of p-i-n photodiodes indicates thermal generation of charge carriers from deep energy levels of non-uniformly distributed structural defects and technological impurities in the space charge region of p-i-n photodiodes. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/48497 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.52928/2070-1624-2025-45-2-50-57 |
| Appears in Collections: | 2025, № 2 (45) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.