Пленки негативного фоторезиста KMP E3502 на кремнии

Abstract

Методом индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов KMP E3502 толщиной 2,6–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Стабилизирующая обработка приводит к равномерному и однородному удалению остаточного растворителя из пленки. При этом пленка становится более плотной, что увеличивает ее прочностные и снижает упругопластические свой-ства, существенного изменения однородности пленки не наблюдается. Также стабилизирующая обработка повышает адгезию фоторезиста КМР Е3502 к кремниевой подложке и приводит к увеличению значений мик-ротвердости в ~ 1,5 раза. После ионного травления наблюдается резкое возрастание неоднородности пленки фоторезиста и сильное структурирование ее поверхности, появляется сплошной массив неровностей раз-мером ~ 10 мкм. Значения микротвердости после ионного травления возрастают в 2,2 раза по сравнению с исходной пленкой, при этом наблюдается взрывной рост (более чем в 200 раз) дисперсии распределения зна-чений микротвердости. В ионно-травленых пленках распределение величин микротвердости существенно уширяется и кардинально отличается от гауссова. Это обусловлено «взрывным» характером испарения мо-лекул остаточного фоторезиста, приводящим к «вспучиванию» фоторезистивной пленки.