О конечных группах с холловыми подгруппами

В некоторых задачах теории конечных групп возникает необходимость знать простые неабелевы группы, которые имеют холловы 2 { , r } -подгруппы, где r нечетный простой делитель порядка группы. В этой работе предполагается, что r пробегает все нечетные простые делители порядка группы,...

Конечные группы с максимальными m-полунормальными подгруппами

Подгруппа H группы G называется m-полунормальной в G, если существует такая подгруппа K из G, что HK=G и HK1 – собственная подгруппа группы G для каждой максимальной подгруппы K1 из K. Исследуются конечные группы с максимальными m-полунормальными подгруппами. Доказано, что максимальна...

Формации групп с максимальной - композиционной нильпотентной подформацией

Изучение и классификация частично композиционных формаций конечных групп неразрывно связаны с исследованием их внутренней структуры. При этом важной особенностью исследуемой формации является не только наличие в ней подформаций того или иного вида, но и их взаимное расположение, а также структурные&#x...

C-квазинормальные подгруппы конечных групп

Пусть G – конечная группа. Будем говорить, что подгруппа H группы G с-квазинормальна в G, если G имеет квазинормальную подгруппу T такую, что G=HT и TH квазинормальна в G. Строение конечной группы тесно связано с условиями, налагаемыми на максимальные подгруппы силовских подгрупп ...

О некоторых аналитических свойствах аналога третьего и пятого уравнений Пенлеве в симметрической форме

Изучается система обыкновенных дифференциальных уравнений, которая может быть рассмотрена как аналог третьего и пятого уравнений Пенлеве в симметрической форме более высокого порядка. Рассмотрены различные формы записи этой системы и приведены соответствующие им преобразования Бэклунда. Для данной системы ...

Численное исследование тепловых полей при микроплазменной обработке деталей

Предложена математическая модель тепловых процессов, а также численный метод ее решения, учитывающий технологические и физические особенности процесса микроплазменной обработки. С помощью созданной модели предоставляется возможность разработать практические рекомендации по технологическому процессу нанесения упрочняющих...

Теплофизические процессы при нанесении покрытий ферромагнитными порошками в электромагнитном поле

Представлено разработанное новое конструктивно-схемотехническое решение базового микромощного БиКМОП-логического элемента, позволяющее повысить устойчивость к эффекту «защелкивания» без увеличения площади кристалла за счет оригинального конструктивно-технологического решения. Для гарантированного исключения возникновения тиристорного эффекта&#x...

Разработка структуры микромощного БиКМОП-элемента с повышенной устойчивостью к тиристорному эффекту

Представлено разработанное новое конструктивно-схемотехническое решение базового микромощного БиКМОП-логического элемента, позволяющее повысить устойчивость к эффекту «защелкивания» без увеличения площади кристалла за счет оригинального конструктивно-технологического решения. Для гарантированного исключения возникновения тиристорного эффекта&#x...

Физические пределы вертикального масштабирования биполярных n–p–n-транзисторов

Основным ограничивающим факторам при вертикальном масштабировании являются электрический пробой p–n-переходов: база – коллектор, коллектор – эмиттер, и прокол базы в n–p–n-транзисторе, которые вызываются лавинным умножением носителей в эпитаксиальном слое и смыканием обедненных слоев в базовой области при ...