Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации

Abstract

Методом атомно-силовой микроскопии экспериментально показано, что в процессе ионной имплантации на поверхности позитивного фоторезиста ФП9120 формируются неравномерно распределенные по поверхности конусообразные структуры. Высота, диаметр в основании и плотность распределения таких структур зависит от условий облучения и вида имплантированных ионов. Наблюдаемые при имплантации изменения морфологии поверхности фоторезиста обусловлены релаксацией напряжений, образовавшихся в процессе изготовления полимерной пленки, и радиационно-химическими процессами в приповерхностном слое фоторезиста.= by atomic force microscopy it was experimentally shown that cone-shaped structures are formed on the surface of positive photoresist FP9120 in the process of ion implantation. These structures are uni-formly distributed over the surface of the photoresist. the height, diameter at base and the distribution density of these structures dependы on the irradiation conditions and the type of the implanted ions. the changes of the surface morphology of the photoresist observed in the implantation are due to the relaxation of stresses generated during the manufacture of the polymer film, and radiation-chemical processes in the surface layer of the photoresist.