Получение и свойства монокристаллов Si:Ge и Si:Sn, легированных изовалентными примесями в процессе выращивания по методу Чохральского

Abstract

Рассматриваются получение и свойства монокристаллов Si:Ge и Si:Sn, легированных изовалентными примесями в процессе выращивания по методу Чохральского. Определены основные физико-химические параметры, характеризующие поведение Ge и Sn как в расплаве, так и в твердом растворе на основе Si. Установлены особенности введения примесей кислорода, углерода, бора и фосфора в кристаллы Si:Ge и Si:Sn. Обнаружены и объяснены эффекты подавления генерации кислородосодержащих термодоноров и рекомбинационно-активных центров в Si:Ge. Особое внимание уделено структурным исследованиям, результаты которых позволили не только предложить модель с концентрационной зависимостью поведения в кристаллах кремния изовалентных примесей, но и определить оптимальные пределы легирования германием и оловом.