Процессы дефектообразования в кремнии и фосфиде галлия, легированных редкоземельными элементами и изовалентными примесями. Автореферат диссертации

Abstract

Актуальность темы диссертации. В последние годы значительно возрос интерес к легированию полупроводников нетрадиционными примесями: редкоземельными элементами (РЗЭ) и изовалентными примесями (ИВП), которые непосредственно после выращивания монокристаллов не проявляют электрической активности, однако могут существенно влиять на процессы дефектообразования и на состояние примесно-дефектного состава кристалла в целом. Интерес к кремнию и фосфиду галлия определяется тем, что эти материалы могут быть использованы как для изготовления приемников, так и источников видимого и ИК-излучения. Для создания ИК-приемников с максимумом чувствительности в области 1,5 мкм перспективно применение выращенного по методу Чохральского кремния, компенсированного примесями (в частности, Аи), создающими глубокие уровни в запрещенной зоне.