Плазменные эмиссионные системы для электронно-лучевых технологий. Часть 2

Abstract

Продолжение работы, опубликованной в предыдущем номере. Представлена конструкция плазменного источника электронов со скрещенными E×H полями, способного формировать низкоэнергетичные электронные и ионные пучки для реализации плазмохимических процессов и технологий нанесения пленок и покрытий различного назначения методами попеременного или одновременного теплофизического электронного и модифицирующего ионного воздействия. Предложен ряд эскизов конструкций структур плазменных источников, перспективных к использованию для реализации комбинированного воздействия электронно-ионными пучками.=Continuation of the work published in the previous issue. The design of a plasma electron source with crossed E × H fields capable of forming low-energy electron and ion beams for the realization of plasmachemical processes and technologies for depositing films and coatings for various purposes by alternating or simultaneous thermophysical electronic and modifying ionic effects is presented. A number of sketches of designs of structures of plasma sources promising for use for realization of combined action by electron-ion beams are proposed.