Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
dc.date.accessioned | 2017-10-17T07:03:22Z | - |
dc.date.available | 2017-10-17T07:03:22Z | - |
dc.date.issued | 2003 | - |
dc.identifier.citation | Вабищевич, С. А. Термическое дефектообразование в Si:P3Э // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 2. – С. 45–71. | ru_RU |
dc.identifier.isbn | 985-418-193-6 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/20536 | - |
dc.description | Vabishchevich, SA Thermal Defect Formation in Si: P3E // Rare-earth Elements in Monocrystalline Silicon | ru_RU |
dc.description.abstract | Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
dc.subject | Термическое дефектообразование в Si:P3Э | ru_RU |
dc.subject | Генерация термодоноров в Si:P3Э | ru_RU |
dc.subject | Взаимодействие лантаноидов с кислородом при термообработке монокристаллов | ru_RU |
dc.subject | Формирование высокотемпературных термодоноров в Si:P3Э | ru_RU |
dc.subject | Термическое дефектообразование в кремнии, легированном одновременно германием и гадолинием | ru_RU |
dc.subject | Закалочные термодефекты в кремнии, легированном редкоземельными элементами | ru_RU |
dc.title | Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография | ru_RU |
dc.type | Monograph | ru_RU |
dc.identifier.udc | 621.315.592:546.28 | - |
Appears in Collections: | Разделы и главы из монографий |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Вабищевич С. А._Монография_2003-Глава 2.pdf | 3.53 MB | Adobe PDF | View/Open | |
Вабищевич С.А._монография_2003-Список использованной литературы.pdf | 1.05 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.