Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/20536Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-10-17T07:03:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-10-17T07:03:22Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Вабищевич, С. А. Термическое дефектообразование в Si:P3Э // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 2. – С. 45–71. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 985-418-193-6 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.psu.by/handle/123456789/20536 | - |
| dc.description | Vabishchevich, SA Thermal Defect Formation in Si: P3E // Rare-earth Elements in Monocrystalline Silicon | ru_RU |
| dc.description.abstract | Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru_RU |
| dc.subject | Термическое дефектообразование в Si:P3Э | ru_RU |
| dc.subject | Генерация термодоноров в Si:P3Э | ru_RU |
| dc.subject | Взаимодействие лантаноидов с кислородом при термообработке монокристаллов | ru_RU |
| dc.subject | Формирование высокотемпературных термодоноров в Si:P3Э | ru_RU |
| dc.subject | Термическое дефектообразование в кремнии, легированном одновременно германием и гадолинием | ru_RU |
| dc.subject | Закалочные термодефекты в кремнии, легированном редкоземельными элементами | ru_RU |
| dc.title | Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография | ru_RU |
| dc.type | Monograph | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.315.592:546.28 | - |
| Располагается в коллекциях: | Разделы и главы из монографий | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Вабищевич С. А._Монография_2003-Глава 2.pdf | 3.53 MB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть | |
| Вабищевич С.А._монография_2003-Список использованной литературы.pdf | 1.05 MB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.