Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Название: | Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография |
Авторы: | Вабищевич, С. А. |
Дата публикации: | 2003 |
Издатель: | Полоцкий государственный университет |
Библиографическое описание: | Вабищевич, С. А. Термическое дефектообразование в Si:P3Э // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 2. – С. 45–71. |
Аннотация: | Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений. |
Ключевые слова: | Термическое дефектообразование в Si:P3Э Генерация термодоноров в Si:P3Э Взаимодействие лантаноидов с кислородом при термообработке монокристаллов Формирование высокотемпературных термодоноров в Si:P3Э Термическое дефектообразование в кремнии, легированном одновременно германием и гадолинием Закалочные термодефекты в кремнии, легированном редкоземельными элементами |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/20536 |
Располагается в коллекциях: | Разделы и главы из монографий |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Вабищевич С. А._Монография_2003-Глава 2.pdf | 3.53 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть | |
Вабищевич С.А._монография_2003-Список использованной литературы.pdf | 1.05 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.