Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Название: Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 2. Термическое дефектообразование в Si:P3Э : монография
Авторы: Вабищевич, С. А.
Дата публикации: 2003
Издатель: Полоцкий государственный университет
Библиографическое описание: Вабищевич, С. А. Термическое дефектообразование в Si:P3Э // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 2. – С. 45–71.
Аннотация: Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений.
Ключевые слова: Термическое дефектообразование в Si:P3Э
Генерация термодоноров в Si:P3Э
Взаимодействие лантаноидов с кислородом при термообработке монокристаллов
Формирование высокотемпературных термодоноров в Si:P3Э
Термическое дефектообразование в кремнии, легированном одновременно германием и гадолинием
Закалочные термодефекты в кремнии, легированном редкоземельными элементами
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/20536
Располагается в коллекциях:Разделы и главы из монографий



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.