Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/20540
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.-
dc.date.accessioned2017-10-17T07:28:29Z-
dc.date.available2017-10-17T07:28:29Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВабищевич, С. А. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 3. – С. 72–101.ru_RU
dc.identifier.isbn985-418-193-6-
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/20540-
dc.descriptionVabishchevich, SA Behavior of Si: P3E in the fields of ionizing radiations // Rare-earth elements in monocrystalline siliconru_RU
dc.description.abstractПриведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherПолоцкий государственный университетru_RU
dc.subjectОблучение γ-квантами и электронамиru_RU
dc.subjectНакопление радиационных дефектовru_RU
dc.subjectВлияние редкоземельных элементов на свойства нейтронно-облученного кремнияru_RU
dc.subjectРадиационно-ускоренная диффузия редкоземельных элементов в кремнииru_RU
dc.titleРедкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монографияru_RU
dc.typeMonographru_RU
dc.identifier.udc621.315.592:546.28-
Appears in Collections:Разделы и главы из монографий



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.