Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/20540| Название: | Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. Глава 3. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений : монография |
| Авторы: | Вабищевич, С. А. |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет |
| Библиографическое описание: | Вабищевич, С. А. Поведение Si:P3Э в полях ионизирующих излучений // Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии : монография / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, B.C. Просолович, Ю.В. Янковский. – Новополоцк : ПГУ, 2003. – Гл. 3. – С. 72–101. |
| Аннотация: | Приведен обзор поведения примесей редкоземельных элементов в монокристаллическом кремнии. Описаны процессы, протекающие при ионном внедрении лантаноидов и последующем отжиге ионно-имплантированных слоев. Освещены возможности использования редкоземельных элементов в технологии изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Предназначена для специалистов в области материаловедения полупроводников в производства полупроводниковых приборов, а также аспирантов и студентов высших учебных заведений. |
| Ключевые слова: | Облучение γ-квантами и электронами Накопление радиационных дефектов Влияние редкоземельных элементов на свойства нейтронно-облученного кремния Радиационно-ускоренная диффузия редкоземельных элементов в кремнии |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/20540 |
| Располагается в коллекциях: | Разделы и главы из монографий |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Вабищевич С. А._Монография_2003-Глава 3.pdf | 3.69 MB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть | |
| Вабищевич С.А._монография_2003-Список использованной литературы.pdf | 1.05 MB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.