Разупрочнение приповерхностного слоя монокристаллов арсенида галлия при высокотемпературной обработке

Abstract

Методом микроиндентирования исследованы физико-механические характеристики (микротвердость, микрохрупкость, трещиностойкость) термообработанных при температуре 910 ?С в течение 24 часов в атмосфере инертного газа монокристаллов GaAs, полученных методом Чохральского. Установлено, что термообработка приводит к разупрочнению приповерхностной области GaAs – снижению значений микротвердости и трещиностойкости. Геттерирующая термообработка с пленками (Cr, V, AlN) усиливает приповерхностное разупрочнение GaAs, причем наиболее сильное влияние оказывала термообработка с пленкой Cr, а наименьшее – с пленкой AlN. Показано, что эффект приповерхностного разупрочнения обусловлен генерацией вакансий вследствие испарения из приповерхностной области мышьяка и очисткой указанной области от междоузельных примесей. = Physic-mechanical characteristics (microhardness, microfragility, crack formation) of monocrystals GaAs received by the Czochralski method and heat treating at temperature 910 °С within 24 hours per an at-mosphere of inert gas was investigated by the microindention method. It was established, that heat treatment leads to surface dishardening of GaAs – to decrease of microhardness and crack formation resistance. Gettering heat treatment with Cr, V and AlN films strengthens surface dishardening of GaAs, and the strongest influence heat treatment with Cr film rendered, and the least – with AlN film. It was shown, that the surface dishardening effect is caused by generation of vacancies owing to arsenic evaporation from surface layer and clearing of the surface layer from interstitial impurities.