Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/22790
Title: Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии
Authors: Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Гайшун, В. Е.
Brinkevich, D.
Yankovski, Y.
Vabishchevich, S.
Vabishchevich, N.
Gaishun, V.
Prosolovich, V.
Other Titles: Measurement of microhardness of photoresist films on silicon by the scratching method
Issue Date: 2016
Publisher: БНТУ
Citation: Бринкевич, Д. И. Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии = Measurement of microhardness of photoresist films on silicon by the scratching method / Д. И. Бринкевич, и др. // Приборы и методы измерений : научно-технический журнал. – 2016. – Т. 7, № 1. – С. 77 - 84.
Abstract: В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нанои субмикронной литографии современной электроники. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе термически и механически стойких полимеров. Целью настоящей работы являлось изучение возможности применения методов микроиндентирования и склерометрии для исследования микротвердости пленок полимерного резиста, нанесенного на пластины монокристаллического кремния различных марок. В качестве примера использовались пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста толщиной 1,0–5,0 мкм, которые наносились на пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Проведен сравнительный анализ методов индентирования и склерометрии для измерения микротвердости структур фоторезисткремний. Показано, что метод царапания ребром четырехгранной алмазной пирамиды (метод склерометрии) пригоден для измерения микротвердости фоторезистивных пленок толщиной от 1,0 мкм, в то же время метод индентирования нельзя использовать для измерений тонких (h = 1,0–2,5 мкм) пленок фоторезиста. Установлено, что при использовании нагрузки Р = 1–2 г более точные, независящие от величины нагрузки, значения микротвердости дает метод склерометрии. Метод микроиндентирования дает заниженные на 20–40 % значения микротвердости, зависящие к тому же от величины нагрузки. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанных различий  – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают. Облучение фоторезистивных пленок также приводит, вследствие изменения структуры пленок, к сближению значений прочностных характеристик, полученных методом склерометрии и методом индентирования.
Keywords: Фоторезист
Кремний
Склерометрия
Индентирование
Микротвердость
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/22790
metadata.dc.identifier.doi: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84
Appears in Collections:Публикации авторов ПГУ в Scopus и Web of Science

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Brinkevich.pdf1.86 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.