Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/26434
Title: Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии
Authors: Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Vabishchevich, S.
Vabishchevich, N.
Brinkevich, D.
Prosolovich, V.
Other Titles: Physical and Mechanical Properties of Irradiated Films of Diazoquinone-Novolach Photoresist on Silicon
Issue Date: 2020
Publisher: Полоцкий государственный университет
Citation: Вабищевич, С. А. Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2020. - № 12. - С. 60-64.
Abstract: Исследованы адгезионные и прочностные свойства структур фоторезист ФП9120 – кремний, облученных γ-квантами 60Со дозами до 300 кГр. Облучение приводит к снижению микротвердости структур фоторезист – кремний при нагрузках 5 г и выше, что связано с ухудшением адгезии пленки позитивного фоторезиста ФП9120 к кремнию после γ-облучения. Заметные изменения прочностных и адгезионных свойств структур фоторезист – кремний наблюдались при дозах γ-квантов свыше 200 кГр. Удельная энергия отслаивания G пленок фоторезиста толщиной 1,0 мкм снижалась после облучения γ-квантами в 1,5–4 раза, что обусловлено, вероятнее всего, разрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист – кремний.= Photoresist FP9120 – silicon structures irradiated with 60Co γ-quanta at doses up to 300 kGy were studed by the microindentation method. Irradiation with γ-quanta leads to a decrease in the microhardness of the photoresist – silicon structures at loads of 5 g and higher. This is due to the deterioration in the adhesion of the film of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 to silicon after γ-irradiation. Changes in the strength and adhesive properties of the photoresist – silicon structures were observed at doses of γ-quanta above 200 kGy The specific peeling energy G of the 1.0 μm thick photoresist films decreases after irradiation with γ quanta by a factor of 1.5–4, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist – silicon interface.
Keywords: Государственный рубрикатор НТИ - ВИНИТИ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Диазохинон-новолачный резист
γ-облучение
Микротвёрдость
Адгезия
Diazoquinon-novolac resist
γ-irradiation
Microhardness
Adhesion
URI: https://elib.psu.by/handle/123456789/26434
Appears in Collections:2020, № 12

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
60-64.pdf274.19 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.