Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии

Abstract

Исследованы адгезионные и прочностные свойства структур фоторезист ФП9120 – кремний, облученных γ-квантами 60Со дозами до 300 кГр. Облучение приводит к снижению микротвердости структур фоторезист – кремний при нагрузках 5 г и выше, что связано с ухудшением адгезии пленки позитивного фоторезиста ФП9120 к кремнию после γ-облучения. Заметные изменения прочностных и адгезионных свойств структур фоторезист – кремний наблюдались при дозах γ-квантов свыше 200 кГр. Удельная энергия отслаивания G пленок фоторезиста толщиной 1,0 мкм снижалась после облучения γ-квантами в 1,5–4 раза, что обусловлено, вероятнее всего, разрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист – кремний.= Photoresist FP9120 – silicon structures irradiated with 60Co γ-quanta at doses up to 300 kGy were studed by the microindentation method. Irradiation with γ-quanta leads to a decrease in the microhardness of the photoresist – silicon structures at loads of 5 g and higher. This is due to the deterioration in the adhesion of the film of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 to silicon after γ-irradiation. Changes in the strength and adhesive properties of the photoresist – silicon structures were observed at doses of γ-quanta above 200 kGy The specific peeling energy G of the 1.0 μm thick photoresist films decreases after irradiation with γ quanta by a factor of 1.5–4, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist – silicon interface.