Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.psu.by/handle/123456789/2801
Название: Физико-механические свойства эпитаксиальных слоев фосфида галлия
Авторы: Бринкевич, Д. И.
Вабищевич, Н. В.
Вабищевич, С. А.
Дата публикации: 2010
Издатель: Полоцкий государственный университет
Библиографическое описание: Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки : научно-теоретический журнал. - 2010. - № 9. - C. 92-97.
Аннотация: Методом микроиндентирования исследованы физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе индия. Установлено, что изовалентная примесь индия приводит к снижению микротвердости, микрохрупкости и трещиностойкости эпитаксиальных слоев. В образцах с включениями лантаноидов на случайном распределении значений микротвердости наблюдаются два максимума, один из которых ответственен за включения, а другой - за чистый монокристалл.
Ключевые слова: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.psu.by/handle/123456789/2801
Права доступа: open access
Располагается в коллекциях:2010, № 9

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
92-97.pdf417.89 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.