Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/2909
Название: | Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP<Dy> |
Авторы: | Бринкевич, Д. И. Вабищевич, Н. В. Просолович, В. С. |
Другие названия: | Micromechanical properties of GaP〈Dy〉 epilayers |
Дата публикации: | 2012 |
Библиографическое описание: | Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48. - № 8. - С. 878-883 Inorganic Materials. - 2012. - Volume 48. - Issue 8. - Pp. 768-772 |
Аннотация: | Методом микроиндентирования исследованы физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов на основе индия. Установлено, что выращивание эпитаксиальных слоев GaP из растворов-расплавов на основе индия приводит к снижению их микротвердости, микрохрупкости и трещиностойкости. Добавление в раствор-расплав примеси РЗЭ неоднозначно влияет на прочностные характеристики эпитаксиальных слоев. При малых концентрациях в зависимости от условий выращивания возможно как снижение микротвердости эпитаксиальных слоев, так и их упрочнение. В образцах с включениями РЗЭ на случайном распределении значений микротвердости наблюдаются два максимума, один из которых ответственен за включения РЗЭ, а другой – за область монокристалла, не содержащую примеси лантаноида в значительном количестве. The physicomechanical properties of GaP epilayers grown by liquid phase epitaxy from indium-based high-temperature solutions have been studied using microindentation. The results demonstrate that the growth of GaP epilayers from indium-based high-temperature solutions leads to a reduction in their microhardness, microbrittleness, and fracture toughness. The addition of a rare-earth dopant to a high-temperature solution has an ambiguous effect on the strength of the epilayers. Low rare-earth concentrations may both reduce and increase the microhardness of the epilayers, depending on epitaxy conditions. The random microhardness distribution of samples containing rare-earth inclusions has two peaks: one due to the rareearth inclusions, and the other due to the region with a relatively low lanthanide concentration. |
Ключевые слова: | Физика эпитаксиальные слои GaP диспрозий epilayers Dy |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/2909 |
Располагается в коллекциях: | Публикации в Scopus и Web of Science |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
brinkevich_2012_48_8_768-772.pdf | 125.48 kB | Adobe PDF | ![]() Просмотреть/Открыть | |
878.pdf | 309.62 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.