Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/40091| Title: | Прочностные свойства облученных электронами пленок негативных новолачных фоторезистов на монокристаллическом кремнии |
| Authors: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Колос, В. В. Зубова, О. А. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Brinkevich, D. Prosolovich, V. Kolos, V. Zubova, O. |
| Other Titles: | Strength Properties of Electron Irradiated Films of Negative Novolac Photoresists on Monocrystalline Silicon |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Прочностные свойства облученных электронами пленок негативных новолачных фоторезистов на монокристаллическом кремнии / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2023. - № 2 (41). - С. 35-41. - DOI: 10.52928/2070-1624-2023-41-2-35-41 |
| Abstract: | Исследованы адгезионные и прочностные свойства облученных электронами пленок фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Экспериментально установлено, что облучение электронами приводит к короблению и частичному отслоению пленки фоторезиста NFR 016D4 от кремниевой подложки. Облученные пленки фоторезиста ведут себя как хрупкие материалы. Наблюдалось существенное снижение трещиностойкости и адгезии к кремниевой подложке облученных фоторезистивных пленок, обусловленное радиационно-индуцированными процессами у границы раздела фоторезист/кремний. |
| metadata.local.description.annotation: | The adhesive and strength properties of electron-irradiated NFR 016D4 photoresist films for explosive lithography deposited on the surface of KDB-10 single-crystalline silicon wafers by centrifugation have been studied. It has been experimentally established that electron irradiation leads to warping and partial detachment of the NFR 016D4 photoresist film from the silicon substrate. Irradiated photoresist films behave like brittle materials. A significant decrease in crack resistance and adhesion to the silicon substrate of irradiated photoresist films was observed. caused by radiation-induced processes at the photoresist/silicon interface. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/40091 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.52928/2070-1624-2023-41-2-35-41 |
| Appears in Collections: | 2023, № 2 (41) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.