Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.psu.by/handle/123456789/43945| Title: | Пленки полиимида, имплантированные ионами марганца |
| Authors: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Лукашевич, М. Г. Ющик, А. В. Харченко, А. А. Vabishchevich, S. Vabishchevich, N. Brinkevich, D. Prosolovich, V. Lukashevich, M. Yushchik, A. Kharchenko, A. |
| Other Titles: | Polyimide Films Implanted by Manganese Ions |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Citation: | Вабищевич, С. А. Пленки полиимида, имплантированные ионами марганца / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 1 (42). - С. 34-40. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-42-1-34-40 |
| Abstract: | Исследованы оптические и прочностные свойства пленок полиимида марки каптон, имплантированных ионами марганца энергией 40 кэВ и дозой 5·1016 – 1·1017 см–2 при плотности тока в ионном пучке 4 мкА/см2. Экспериментально установлено, что в процессе ионной имплантации происходит модификация тонкого приповерхностного слоя полиимида не только с имплантированной, но и с обратной стороны пленки. Радиационно-стимулированная модификация обратной поверхности пленки полиимида приводит к формированию поверхностного слоя толщиной до 5 мкм с повышенной микротвердостью. Это может быть обусловлено перестройкой метастабильных дефектов, сформировавшихся в процессе изготовления пленки, и одновременной релаксацией упругих напряжений в приповерхностном слое. В процессе имплантации наблюдается снижение интенсивности полос поглощения с максимумами при ~ 2870 и ~ 2750 нм, обусловленное испарением остаточной воды в условиях высокого вакуума и реакциями молекул остаточных растворителей, а также радиационно-индуцированными процессами на побочных продуктах синтеза полиимида. |
| metadata.local.description.annotation: | The optical and strength properties of Kapton polyimide films implanted with manganese ions with an energy of 40 keV and a dose of 5·1016 – 1·1017 cm–2 at a current density in the ion beam of 4 ?A/cm2 have been studied. It has been experimentally established that during the process of ion implantation, modification of a thin nearsurface layer of polyimide occurs not only on the implanted side, but also on the reverse side of the film. Radiationstimulated modification of the back surface of the polyimide film leads to the formation of a surface layer up to 5 ?m thick with increased microhardness. This may be due to the restructuring of metastable defects formed during the film manufacturing process and the simultaneous relaxation of elastic stresses in the surface layer. During the implantation process, a decrease in the intensity of absorption bands with maxima at ~ 2870 and ~ 2750 nm is observed, due to the evaporation of residual water under high vacuum conditions and reactions of residual solvent molecules, as well as radiation-induced processes on by-products of polyimide synthesis. |
| URI: | https://elib.psu.by/handle/123456789/43945 |
| metadata.dc.rights: | open access |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.52928/2070-1624-2024-42-1-34-40 |
| Appears in Collections: | 2024, № 1 (42) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.