Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.psu.by/handle/123456789/45954
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.ru_RU
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru_RU
dc.contributor.authorКолос, В. В.ru_RU
dc.contributor.authorЗубова, О. А.ru_RU
dc.contributor.authorВабищевич, С. А.ru_RU
dc.contributor.authorBrinkevich, D.en_EN
dc.contributor.authorProsolovich, V.en_EN
dc.contributor.authorKolos, V.en_EN
dc.contributor.authorZubova, O.en_EN
dc.contributor.authorVabishchevich, S.en_EN
dc.date.accessioned2024-11-21T06:35:28Z-
dc.date.available2024-11-21T06:35:28Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationБринкевич, Д. И. Инфракрасная Фурье-спектроскопия диффузного отражения пленок негативных фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Колос, О. А. Зубова, С. А. Вабищевич // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 2 (43). - С. 34-40. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-34-40ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.psu.by/handle/123456789/45954-
dc.description.abstractМетодом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 и AZ nLOF 5510 толщиной 0,95 – 6,1 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. В спектрах диффузного отражения структур фоторезист/Si полосы поглощения наблюдались на фоне интерференционных полос, что позволяет использовать методику для измерения толщины пленки или ее показателя преломления. Наиболее интенсивными в спектрах ФР серии AZ nLOF являются полосы валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца, широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050 – 1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Структура спектра поглощения фоторезистов серии AZ nLOF схожа со структурой спектра фенолформальдегидного фоторезиста ФП9120. Показано, что полоса колебаний CH3-групп при 2945 см–1 обусловлена растворителем.ru_RU
dc.language.isoruru
dc.publisherПолоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкойru_RU
dc.rightsopen accessru_RU
dc.titleИнфракрасная Фурье-спектроскопия диффузного отражения пленок негативных фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнииru_RU
dc.title.alternativeInfrared Fourier Spectroscopy of Diffuse Reflection of the AZ nLOF Series Negative Photoresists Films on Monocrystalline Siliconru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.doi10.52928/2070-1624-2024-43-2-34-40-
local.description.annotationFilms of the AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 and AZ nLOF 5510 negative photoresists (PR) with a thickness of 0,95 – 6,1 ?m, deposited on the surface of silicon wafers by the centrifugation method, were studied by the method of IR-Fourier diffuse reflection spectroscopy. In the diffuse reflectance spectra of PR/silicon structures, absorption bands were observed against the background of interference fringes. It allows the technique to be used to measure film thickness or its refractive index. The most intense bands in the AZ nLOF series PR spectra are the bands of stretching vibrations of the aromatic ring, pulsation vibrations of the carbon skeleton of the aromatic ring, a wide structured band with several maxima in the range of 1050 – 1270 cm–1 and a band associated with the CH2 bridge. The structure of the absorption spectrum of photoresists of the AZ nLOF series is similar to the structure of the spectrum of phenol-formaldehyde photoresist FP9120. It was shown that the vibration band of CH3 groups at 2945 cm-1 is due to the solvent.ru_RU
Appears in Collections:2024, № 2 (43)

Files in This Item:
File SizeFormat 
34-40.pdf846.5 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.