Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.psu.by/handle/123456789/45954| Название: | Инфракрасная Фурье-спектроскопия диффузного отражения пленок негативных фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Колос, В. В. Зубова, О. А. Вабищевич, С. А. Brinkevich, D. Prosolovich, V. Kolos, V. Zubova, O. Vabishchevich, S. |
| Другие названия: | Infrared Fourier Spectroscopy of Diffuse Reflection of the AZ nLOF Series Negative Photoresists Films on Monocrystalline Silicon |
| Дата публикации: | 2024 |
| Издатель: | Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой |
| Библиографическое описание: | Бринкевич, Д. И. Инфракрасная Фурье-спектроскопия диффузного отражения пленок негативных фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Колос, О. А. Зубова, С. А. Вабищевич // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 2 (43). - С. 34-40. - DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-34-40 |
| Аннотация: | Методом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 и AZ nLOF 5510 толщиной 0,95 – 6,1 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. В спектрах диффузного отражения структур фоторезист/Si полосы поглощения наблюдались на фоне интерференционных полос, что позволяет использовать методику для измерения толщины пленки или ее показателя преломления. Наиболее интенсивными в спектрах ФР серии AZ nLOF являются полосы валентных колебаний ароматического кольца, пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца, широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050 – 1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Структура спектра поглощения фоторезистов серии AZ nLOF схожа со структурой спектра фенолформальдегидного фоторезиста ФП9120. Показано, что полоса колебаний CH3-групп при 2945 см–1 обусловлена растворителем. |
| Аннотация на другом языке: | Films of the AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 and AZ nLOF 5510 negative photoresists (PR) with a thickness of 0,95 – 6,1 ?m, deposited on the surface of silicon wafers by the centrifugation method, were studied by the method of IR-Fourier diffuse reflection spectroscopy. In the diffuse reflectance spectra of PR/silicon structures, absorption bands were observed against the background of interference fringes. It allows the technique to be used to measure film thickness or its refractive index. The most intense bands in the AZ nLOF series PR spectra are the bands of stretching vibrations of the aromatic ring, pulsation vibrations of the carbon skeleton of the aromatic ring, a wide structured band with several maxima in the range of 1050 – 1270 cm–1 and a band associated with the CH2 bridge. The structure of the absorption spectrum of photoresists of the AZ nLOF series is similar to the structure of the spectrum of phenol-formaldehyde photoresist FP9120. It was shown that the vibration band of CH3 groups at 2945 cm-1 is due to the solvent. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.psu.by/handle/123456789/45954 |
| Права доступа: | open access |
| DOI: | 10.52928/2070-1624-2024-43-2-34-40 |
| Располагается в коллекциях: | 2024, № 2 (43) |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 34-40.pdf | 846.5 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.